Inicio Gestión de la energía Power stages Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Inicio
Gestión de la energía
Power stages
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
NUEVO

LMG2100R044

ACTIVO

Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote

Haga su pedido ahora
Hoja de datos

LMG2100R044

ACTIVO
Hoja de datos Haga su pedido ahora

Detalles del producto

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

open-in-new Buscar otro/a Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 2
Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG2100R044 100V, 35A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. B) PDF | HTML 15 mar 2024
Technical article Four mid-voltage applications where GaN will transform electronic designs PDF | HTML 17 feb 2024

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG2100EVM-078 — Módulo de evaluación LMG2100

El módulo de evaluación (EVM) LMG2100 es una etapa de alimentación compacta y fácil de usar que se puede configurar como convertidor reductor, convertidor elevador u otra topología de convertidor que utilice un medio puente. El EVM cuenta con un módulo de alimentación LMG2100 de medio puente con (...)
Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Herramienta de cálculo

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = Requiere aprobación de exportación (1 minuto)
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
LMG2100R044 — Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote LMG2610 — Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG3410R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 — GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 — GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 — GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 — GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 — GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3426R030 — Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte LMG3426R050 — Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 — GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3522R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3526R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG3526R050 — FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección y notificación ante detección d LMG5200 — Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V
lock Descargar
Diseños de referencia

TIDA-010042 — Diseño de referencia de controlador de carga MPPT basado en GaN de 400 W y optimizador de potencia

Este diseño de referencia es un regulador de carga solar con seguimiento del punto de máxima potencia (MPPT) para baterías de 12 V y 24 V que se puede utilizar como optimizador de energía en el futuro. Este diseño de referencia compacto está orientado a diseños de cargadores solares de pequeña y (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Diseños de referencia

TIDA-010936 — Diseño de referencia de inversor GaN trifásico de factor de forma pequeño de

Este diseño de referencia muestra una etapa de potencia de 12 V a 60 V trifásica de alta densidad de potencia que utiliza tres semipuentes de GaN LMG2100R044 de 100 V y 35 A A con FET de GaN integrados, controlador y diodo bootstrap específicamente para (...)
Design guide: PDF
Diseños de referencia

PMP23340UCD — Diseño de referencia habilitado para GaN de 1/8 de ladrillo, 1.1 kW y 48 V a 12 V que utiliza un con

Este diseño de referencia muestra cómo un GaN de alto rendimiento puede permitir una alta eficiencia y un factor de forma pequeño para convertidores de bus intermedio que utilizan un controlador aislado de alimentación digital UCD3138ARJAT.
Test report: PDF
Diseños de referencia

PMP23340C2K — Diseño de referencia de módulo de alimentación habilitado para GaN de 1/8 de ladrillo, 1.1 kW y 48 V

Este diseño de referencia muestra cómo un GaN de alto rendimiento puede permitir una alta eficiencia y un factor de forma pequeño para convertidores de bus intermedio.
Test report: PDF
Diseños de referencia

TIDA-010933 — Diseño de referencia de microinversor bidireccional de 1.6 kW basado en GaN

Este diseño de referencia muestra un microinversor bidireccional de 1.6 kW y cuatro entradas basado en GaN, con capacidad de almacenamiento de energía.
Design guide: PDF
Diseños de referencia

PMP41068 — Diseño de referencia de amplificadores de audio de 100 W de clase D con GaN

Este diseño de referencia muestra una etapa de potencia de clase D de extremo único que emplea GaN HEMT. El diseño usa los dispositivos LMG2100R044 como interruptores de alimentación, la frecuencia de funcionamiento es de 1 MHz.
Test report: PDF
Paquete Pasadores Descargar
WQFN-FCRLF (RAR) 16 Ver opciones
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

Ver todos los temas del foro en inglés

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos