Inicio Gestión de la energía Power stages Gallium nitride (GaN) power stages

LMG3410R150

ACTIVO

GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados

Detalles del producto

VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 150
VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Productos similares que pueden interesarle

open-in-new Comparar alternativas
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
LMG3411R150 ACTIVO GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad Different overcurrent protection response behavior.

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 7
Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. B) PDF | HTML 13 feb 2020
White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 02 jun 2021
White paper Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 05 ene 2021
More literature A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 20 oct 2020
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 22 sep 2020
Application note Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 04 ago 2020
EVM User's guide LMG3410R150-031 EVM User Guide 02 abr 2019

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

LMG34XX-BB-EVM — Placa base de evaluación a nivel de sistema LMG34xx GaN para la familia LMG341x

The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG341x half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter. By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching. This EVM is (...)

Guía del usuario: PDF
Tarjeta secundaria

LMG3410EVM-031 — Tarjeta secundaria LMG3410R150 de medio puente GaN de 600 V y 150 mΩ

LMG3410EVM-031 configures two LMG3410R150 GaN FETs in a half bridge with the latched over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.
Guía del usuario: PDF
Modelo de simulación

LMG3410R150 Unencrypted PSPICE Trans Model Package (Rev. A)

SNOM676A.ZIP (42 KB) - PSpice Model
Herramienta de cálculo

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = Requiere aprobación de exportación (1 minuto)
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Circuitos integrados de nitruro de galio (GaN)
LMG2100R044 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG5200 Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote LMG2610 Semipuente de GaN de 650 V 170/248 mΩ para ACF con controlador, protección y detección de corriente LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3425R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3425R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección, informes de temperatura y modo de diodo ideal LMG3426R030 Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte LMG3426R050 Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3522R050 FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero LMG3526R050 FET de GaN de 650 V y 50 mΩ con controlador integrado, protección y notificación ante detección d LMG5200 Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V
Herramienta de cálculo

SNOR029 GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero
Herramienta de cálculo

SNOR030 GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Productos
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados LMG3410R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones integrados LMG3411R050 GaN de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrados LMG3411R070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrado LMG3411R150 GaN de 600 V y 150 mΩ con controlador y protección contra sobretensiones ciclo por ciclo integrad LMG3422R030 GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3422R050 GaN FET de 600 V y 50 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados LMG3522R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura LMG3522R030-Q1 GaN FET de 650 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados para autom LMG3526R030 FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección y detección de tensión cero
Paquete Pasadores Descargar
VQFN (RWH) 32 Ver opciones

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos