LM2101
- Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
- 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
- 107-V absolute maximum voltage on BST
- –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
- 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
- 115-ns typical propagation delay
The LM2101 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration.
The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2101 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.
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기술 문서
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM2101 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2023/09/08 |
| Application note | How to Choose a Gate Driver for DC Motor Drives | PDF | HTML | 2023/10/05 |
설계 및 개발
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| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | 옵션 보기 |
| WSON (DSG) | 8 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.