首頁 電源管理 Power stages 氮化鎵 (GaN) 功率級
首頁
電源管理
Power stages
氮化鎵 (GaN) 功率級
最新

LMG2100R044

現行

具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET

立即訂購
產品規格表

LMG2100R044

現行
產品規格表 立即訂購

產品詳細資料

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

open-in-new 尋找其它 氮化鎵 (GaN) 功率級
下載 觀看有字幕稿的影片 影片

技術文件

star =TI 所選的此產品重要文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件，然後再試一次。
檢視所有 2
類型 標題 日期
* Data sheet LMG2100R044 100V, 35A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024年 3月 15日
Technical article GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 PDF | HTML 2024年 2月 20日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

LMG2100EVM-078 — LMG2100 評估模組

LMG2100 評估模組 (EVM) 是一款精巧且易於使用的功率級產品，可配置成降壓轉換器、升壓轉換器或其它使用半橋的轉換器拓撲。此 EVM 配備具有兩個 100V 4.4-mΩ GaN FET 的 LMG2100 半橋電源模組。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 需要匯出核准 (1 分鐘)
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R044 — 具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
lock 下載
參考設計

TIDA-010042 — 400-W GaN 式 MPPT 充電控制器和功率最佳化工具參考設計

此參考設計為一款適用於 12V 與 24V 電池的最高功率點追蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器，可當作未來的功率最佳化工具使用。此精巧型參考設計針對中小型功耗太陽能充電器設計，可搭配 15V 至 60V 太陽能面板模組、12V 或 24V 電池運作，並可提供高達 16A 的輸出電流。此設計使用降壓轉換器將面板電壓降壓至電池電壓。具有內部整合驅動器的半橋功率級是由微控制器單元 (MCU) 控制，使用擾動及觀察方式計算最大功率點。太陽能 MPPT 充電控制器是專為現實環境考量而設計，其中包括反向電池保護、軟體可編程警報與指示，以及突波與 ESD 防護。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

TIDA-010936 — 適用於整合式馬達驅動的 48V/16A 小型三相 GaN 逆變器參考設計

此參考設計展示了高功率密度 12V 至 60V 3 相功率級，其使用三個 LMG2100R044 100V、35A GaN 半橋，且具有整合式 GaN FET、驅動器和自舉二極體，專為馬達整合式伺服驅動器與機器人應用所設計。  
透過 IN241A 電流感測放大器實現準確的相位電流感測，並且也會測量 DC 鏈路和相位電壓，以驗證 InstaSPIN-FOC™ 等先進的無感測器設計。此設計提供相容於 TI BoosterPack 的 3.3-V I/O 介面，可連接至 C2000™ MCU LaunchPad™ 開發套件或 Sitara™ 微控制器，以便快速輕鬆地評估我們的 GaN 技術。
Design guide: PDF
參考設計

PMP23340UCD — 使用數位電源隔離控制器的 48V 至 12V GaN 型 1.1kW 1/8 磚型電源模組參考設計

此參考設計展示了高效能 GaN 如何使用 UCD3138ARJAT 數位電源隔離控制器為中間匯流排轉換器實現高效率和小尺寸。
Test report: PDF
參考設計

PMP23340C2K — 使用 C2000™ MCU 的 48V 至 12V GaN 型 1.1kW 1/8 磚型電源模組參考設計

此參考設計展示了高效能 GaN 如何為中間匯流排轉換器實現高效率和小尺寸。
Test report: PDF
參考設計

TIDA-010933 — GaN 型 1.6kW、雙向微型逆變器參考設計

此參考設計展示了一款具有儲能功能的四輸入雙向 1.6kW GaN 型微型逆變器。
Design guide: PDF
參考設計

PMP41068 — 利用 GaN 技術的 100W D 類音訊放大參考設計

此參考設計會展示使用 GaN HEMT 的單端 D 類功率級。此設計會使用 LMG2100R044 作為電源開關，工作頻率為 1MHz。
Test report: PDF
封裝 引腳 下載
WQFN-FCRLF (RAR) 16 檢視選項
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 資格摘要
  • 進行中可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片