TI GaN 技術的優點
比離散 GaN FET 更快的切換速度
我們的 GaN FET 搭載整合式驅動器，可提供 150 V/ns 的切換速度。這些切換速度結合低電感封裝，可減少損耗、實現乾淨切換並減少振鈴。
更小的磁性元件，更高的功率密度
我們的 GaN 裝置具備更快的切換速度，可幫助您實現超過 500 kHz 的切換頻率，最多可讓磁性元件縮小 60%，提升性能並降低系統成本。
專為可靠性打造
運用專利矽基氮化鎵技術製程、超過 4 千萬小時的可靠性測試與保護功能，我們的 GaN 裝置可確保高電壓系統安全無虞。
專屬設計工具與資源
利用我們的 GaN 設計資源縮短上市時間，其中包括功率損耗計算機、電路模擬專用的 PLECS 模型，以及可在較大型系統中測試與操作的評估電路板。
為什麼選擇 GaN
了解 GaN 技術
GaN 比傳統僅以矽為主的解決方案提供更高的功率密度、更可靠的運作，以及更高的效率。前往我們的技術頁面進一步了解 GaN 即功率電晶體技術、探索精選 GaN 應用、聆聽客戶的意見，並且親自了解我們的 GaN 產品如何協助您將下一個電源設計的重量、尺寸與成本降到最低。
可協助進行設計的工具與資源
我們提供眾多資源協助您進行設計，同時也協助您選擇適合應用領域的裝置。我們的功率損耗計算工具可透過在使用者指定參數顯示所選裝置的功率損耗來協助您選擇產品。我們的 PLECS 模型可讓您模擬 GaN 裝置的運作，估算 FET 結溫，並允許在開啟過程中調整轉換速率。我們的半橋評估子卡也可用於較大型系統中的測試和運作。
技術資源
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Third quadrant operation of GaN
設計與開發資源
以 GaN 為基礎的 11-kW、雙向、三相 ANPC 參考設計
此參考設計提供實作三階三相氮化鎵 (GaN) 型 ANPC 逆變器功率級的設計範本。使用快速切換功率裝置可在更高的 100 kHz 頻率進行切換、減少濾波器的磁性元件尺寸，以及提升功率級的功率密度。多階拓撲允許在高達 1000 V 的較高 DC 匯流排電壓下使用 600-V 額定電源裝置。低切換電壓應力減少切換損耗，導致峰值效率達 98.5%。