JAJSL61E February   2021  – May 2025 AFE7950

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3説明
  5. 4仕様
    1. 4.1  絶対最大定格
    2. 4.2  ESD 定格
    3. 4.3  推奨動作条件
    4. 4.4  熱に関する情報
    5. 4.5  トランスミッタの電気的特性
    6. 4.6  RF ADC の電気的特性
    7. 4.7  PLL / VCO / クロックの電気的特性
    8. 4.8  デジタルの電気的特性
    9. 4.9  電源の電気的特性
    10. 4.10 タイミング要件
    11. 4.11 スイッチング特性
    12. 4.12 代表的特性
      1. 4.12.1  TX 代表的特性：800MHz
      2. 4.12.2  TX 代表的特性：1.8GHz
      3. 4.12.3  TX 代表的特性：2.6GHz
      4. 4.12.4  TX 代表的特性：3.5GHz
      5. 4.12.5  TX 代表的特性：4.9GHz
      6. 4.12.6  TX 代表的特性：8.1GHz
      7. 4.12.7  TX 代表的特性：9.6GHz
      8. 4.12.8  RX 代表的特性：800MHz
      9. 4.12.9  RX 代表的特性：1.75GHz～1.9GHz
      10. 4.12.10 RX 代表的特性：2.6GHz
      11. 4.12.11 RX 代表的特性：3.5GHz
      12. 4.12.12 RX 代表的特性：4.9GHz
      13. 4.12.13 RX 代表的特性：8.1GHz
      14. 4.12.14 RX 代表的特性：9.6GHz
      15. 4.12.15 PLL およびクロックの代表的特性
  6. 5改訂履歴
  7. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 サポート・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 用語集
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) AFE7950 単位
ABJ またはALK (FC-BGA)
400 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 16.2 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 0.42 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 4.85 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 0.12 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 4.6 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。