JAJSMS3A october   2022  – july 2023 DRV8411A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1.     ピンの機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 タイミング図
  9. 8 代表的特性
  10. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 外付け部品
    4. 9.4 機能説明
      1. 9.4.1 ブリッジの制御
      2. 9.4.2 電流検出およびレギュレーション
        1. 9.4.2.1 電流検出
        2. 9.4.2.2 電流レギュレーション
      3. 9.4.3 保護回路
        1. 9.4.3.1 過電流保護 (OCP)
        2. 9.4.3.2 サーマル・シャットダウン (TSD)
        3. 9.4.3.3 低電圧誤動作防止 (UVLO)
    5. 9.5 デバイスの機能モード
      1. 9.5.1 アクティブ・モード
      2. 9.5.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 9.5.3 フォルト・モード
    6. 9.6 ピン配置図
      1. 9.6.1 ロジックレベル入力
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
      1. 10.1.1 代表的なアプリケーション
        1. 10.1.1.1 ステッピング・モータ・アプリケーション
          1. 10.1.1.1.1 設計要件
          2. 10.1.1.1.2 詳細な設計手順
            1. 10.1.1.1.2.1 ステッピング・モータの速度
            2. 10.1.1.1.2.2 電流レギュレーション
            3. 10.1.1.1.2.3 ステッピング・モード
              1. 10.1.1.1.2.3.1 フル・ステッピング動作
              2. 10.1.1.1.2.3.2 ハーフ・ステッピング動作と高速減衰
              3. 10.1.1.1.2.3.3 ハーフ・ステッピング動作と低速減衰
          3. 10.1.1.1.3 アプリケーション曲線
        2. 10.1.1.2 デュアル BDC モータ・アプリケーション
          1. 10.1.1.2.1 設計要件
          2. 10.1.1.2.2 詳細な設計手順
            1. 10.1.1.2.2.1 モータ電圧
            2. 10.1.1.2.2.2 電流レギュレーション
          3. 10.1.1.2.3 アプリケーション曲線
        3. 10.1.1.3 熱に関する注意事項
          1. 10.1.1.3.1 最大出力電流
          2. 10.1.1.3.2 消費電力
          3. 10.1.1.3.3 熱性能
            1. 10.1.1.3.3.1 定常状態熱性能
            2. 10.1.1.3.3.2 過渡熱性能
  12. 11電源に関する推奨事項
    1. 11.1 バルク容量
    2. 11.2 電源とロジックのシーケンシング
  13. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
    2. 12.2 レイアウト例
  14. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 コミュニティ・リソース
    4. 13.4 商標
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 14.1 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • PWP|16
  • RTE|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.4.2.1 電流検出

IPROPI ピン (AIPROPI および BIPROPI) は、AIPROPI でスケーリングされる H ブリッジのローサイド・パワー MOSFET を流れる電流に比例したアナログ電流を出力します。IPROPI の出力電流は式 1 で計算できます。式 1 の ILSx は、ローサイド MOSFET のドレインからソースに電流が流れるときのみ有効です。ソースからドレインまたはボディ・ダイオードを介して電流が流れる場合、そのチャネルの ILSx の値はゼロです。たとえば、ブリッジにブレーキがかかっている場合 (スロー・ディケイ状態)、IPROPI から流れ出る電流はローサイド MOSFET のうちの 1 つの電流にのみ比例します。

式 1. IPROPI (μA) = (ILS1 + ILS2) (A) x AIPROPI (μA/A)

「電気的特性」表の AERR パラメータは、AIPROPI ゲインに関連する誤差です。この誤差は、IOUT 電流に加算されたオフセット誤差とゲイン誤差の複合的な影響を示しています。

モータ電流は、図 9-4 に示すように、ローサイド FET の内部電流ミラー・アーキテクチャによって測定されるため、外付けの電力センス抵抗は不要になります。電流ミラー・アーキテクチャにより、ドライブ期間とブレーキ (ローサイド・スロー・ディケイ) 期間の両方でモータ巻線電流を検出できるため、一般的な双方向ブラシ付き DC モータ用途で電流を常時監視できます。コースト・モードでは、電流がソースからドレインに流れるため、電流が還流して電流を検出できません。しかし、ドライブ・モードまたはスロー・ディケイ・モードでドライバを短い間有効にして電流を測定した後、コースト・モードに戻すことで、その電流をサンプリングできます。

GUID-20211124-SS0I-NTH0-H5HB-JWKVG1NQRKCB-low.svg図 9-4 内蔵電流検出回路

IIPROPI アナログ電流出力により IPROPI ピンで比例電圧 (VIPROPI) を生成するために、IPROPI ピンは外付け抵抗 (RIPROPI) を介してグランドに接続する必要があります。これにより、標準のアナログ / デジタル・コンバータ (ADC) を使用して、RIPROPI 抵抗両端の電圧降下として負荷電流を測定できます。RIPROPI 抵抗は、すべてのコントローラ ADC を利用できるように、そのアプリケーションの負荷電流の期待値に基づいて値を調整できます。また、DRV8411A デバイスは IPROPI 電圧クランプ回路を備えているため、VREF ピンの VVREF を基準として VIPROPI 電圧を制限し、出力過電流または想定外の大電流イベント時に外部 ADC を保護できます。

TI では、VVM と、ADC で測定される VIPROPI の最大電圧 VIPROPI_MAX との間に 1.25V 以上のヘッドルームを設計することを推奨します。たとえば、VVM が 4.55V～11V の場合、VIPROPI_MAX は最大 3.3V にすることができます

出力電流に対応する IPROPI 電圧は、式 2 で計算できます。

式 2. VIPROPI (V) = IPROPI (A) x RIPROPI (Ω)

IPROPI 出力の帯域幅は、内部電流検出回路の検出遅延時間 (tDELAY) によって制限されます。この時間は、ローサイド MOSFET イネーブル・コマンド (INx ピン) から IPROPI 出力準備完了までの遅延に相当します。

デバイスが H ブリッジ PWM パターンで駆動とスロー・ディケイ (ブレーキ) を繰り返している場合、電流を検出するローサイド MOSFET は連続的にオンし、検出遅延時間は IPROPI 出力に影響を与えません。INx ピンのコマンドがセクション 9.4.1 の論理表に従ってローサイド MOSFET をディセーブルすると、IPROPI 出力は入力ロジック信号によってディセーブルされます。ローサイド MOSFET はディセーブルする際に、本デバイスのスルーレートに従って電流を流し続けようとする場合がありますが (電気的特性表に tRISE 時間として記載)、このターンオフ時間中のローサイド MOSFET の電流は IPROPI に反映されません。