JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.1 可変ゲイン設定

図 8-1 は、INA849 のゲインが、RG ピン (ピン 2 と 3) の間に接続された単一の外部抵抗 (RG) によって設定されることを示しています。

GUID-20201008-CA0I-JLH0-S9PG-VF2DQD2KCW12-low.gif図 8-1 INA849 の簡略化された図と出力式

RG の値は、次の式に従い選択されます。

Equation1. GUID-20201008-CA0I-VDZ5-5CZQ-KGMQHLLGWK3H-low.gif

表 8-1 は、一般的に使用される複数のゲインと抵抗値を示しています。Equation1 の 6kΩ の項は、内部の 2 つの 3kΩ フィードバック抵抗の合計の計算結果です。これらのオンチップ抵抗はレーザ・トリムされ、精度の高い絶対値に調整されます。これらの抵抗の精度と温度係数は、INA849 のゲイン精度とドリフト仕様に含まれています。

表 8-1 一般的に使用されるゲインと抵抗値
必要なゲイン (V/V) 標準 1% RG (Ω) 計算されたゲイン (V/V) 計算されたゲイン誤差 (%)
1 接続なし N/A N/A
2 6.04k 1.9933 0.33
5 1.50k 5 0
10 665 10.022 –0.23
20 316 19.987 0.06
50 121 50.586 -1.17
100 60.4 100.337 -0.34
200 30.1 200.335 -0.17
500 12.1 496.867 0.63
1000 6.04 994.377 0.56

出力段の 5kΩ のフィードバック抵抗は、供給電圧に比例してマッチングされ、ユニティゲインの安定性を保ちます。これらの抵抗は、製造状態により最大 15% シフトすることがあります。

図 8-1 で示され、図 11-1 で詳細が説明されているように、各電源ピンとグランドの間に低 ESR、0.1µF のセラミック・バイパス・コンデンサを、デバイスのできるだけ近くに配置して、接続するようにしてください。