INA849
- 超低ノイズ:入力電圧ノイズ: 1nV/√Hz (標準値)
- 高精度のスーパーベータ入力性能:
- 低いオフセット電圧:35µV (最大値)
- 低いオフセット電圧ドリフト:0.4µV/℃ (最大値)
- 低い入力バイアス電流:20nA (最大値)
- 小さいゲイン・ドリフト:G = 1 の場合 5ppm/℃ (最大値)
- 帯域幅:28MHz (G = 1)、8MHz (G = 100)
- スルーレート:35V/µs
- 同相除去:最大ゲインの場合 120dB (最小値)
- 電源電圧範囲:
- 単一電源:8V~36V
- デュアル電源:±4V~±18V
- 仕様温度範囲: –40℃~+125℃
- パッケージ:8 ピン SOIC および VSSOP
INA849 は、超低ノイズの計測アンプで、高分解能システムにおける最大の精度と、幅広い単一電源またはデュアル電源範囲での動作を実現するように最適化されています。このデバイスは、スーパーベータ入力トランジスタにより、競合製品よりも大幅に低い入力バイアス電流を実現しています。最新の製造プロセスにより、非常に低い電圧ノイズ、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフトが得られます。
正確にマッチングされた内蔵抵抗により、全入力同相範囲にわたり、92dB (G = 1) と高い同相除去が得られます。単一の外付け抵抗により、1~10,000 の範囲で任意のゲインを設定できます。INA849 の電流帰還トポロジは、極小、高速移動信号に対する広帯域幅を高ゲインで実現しています。たとえば、0.4µs の高速セトリング・タイム (0.01%) で、G = 100 で 8MHz、G = 1 で 28MHz の帯域幅を実現し、高分解能の A/D コンバータ (ADC) を直接駆動します。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | INA849 超低ノイズ (1 nV/√Hz)、広帯域幅計測アンプ データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022/07/01 |
| アプリケーション概要 | Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors | PDF | HTML | 2024/05/16 | |||
| アプリケーション・ノート | Amplifier Input Common-Mode and Output-Swing Limitations | PDF | HTML | 2022/01/14 | |||
| アプリケーション・ノート | Importance of Input Bias Current Return Paths in Instrumentation Amplifier Apps | PDF | HTML | 2021/07/27 | |||
| アプリケーション概要 | 半導体テスター用の高精度アンプの選択方法 (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2021/03/31 | |
| 技術記事 | What is an instrumentation amplifier? | PDF | HTML | 2019/08/09 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
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スタンドアロン ツールとして使用できるほか、『アナログ回路設計式一覧ポケット ガイド』で説明されているコンセプトと組み合わせることもできます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VSSOP (DGK) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |