製品詳細

Number of channels (#) 1 Vs (Max) (V) 36 Vs (Min) (V) 8 Input offset (+/-) (Max) (uV) 35 Gain (Min) (V/V) 1 Gain (Max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) 1 Features Ultra-low noise, High speed, Super-beta, Current Feedback CMRR (Min) (dB) 120 Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) 0.4 Input bias current (+/-) (Max) (nA) 20 Iq (Typ) (mA) 6.2 Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) 28 Gain error (+/-) (Max) (%) 0.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 Type Resistor Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V) 2.5 Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V) -2.5 Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) 0.06 Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) 0.001
Number of channels (#) 1 Vs (Max) (V) 36 Vs (Min) (V) 8 Input offset (+/-) (Max) (uV) 35 Gain (Min) (V/V) 1 Gain (Max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) 1 Features Ultra-low noise, High speed, Super-beta, Current Feedback CMRR (Min) (dB) 120 Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) 0.4 Input bias current (+/-) (Max) (nA) 20 Iq (Typ) (mA) 6.2 Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) 28 Gain error (+/-) (Max) (%) 0.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 Type Resistor Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V) 2.5 Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V) -2.5 Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) 0.06 Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) 0.001
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9
  • 超低ノイズ:入力電圧ノイズ: 1nV/√Hz (標準値)
  • 高精度のスーパーベータ入力性能:
    • 低いオフセット電圧:35µV (最大値)
    • 低いオフセット電圧ドリフト:0.4µV/℃ (最大値)
    • 低い入力バイアス電流:20nA (最大値)
    • 小さいゲイン・ドリフト:G = 1 の場合 5ppm/℃ (最大値)
  • 帯域幅:28MHz (G = 1)、8MHz (G = 100)
  • スルーレート:35V/µs
  • 同相除去:最大ゲインの場合 120dB (最小値)
  • 電源電圧範囲:
    • 単一電源:8V~36V
    • デュアル電源:±4V~±18V
  • 仕様温度範囲: –40℃~+125℃
  • パッケージ:8 ピン SOIC および VSSOP
  • 超低ノイズ:入力電圧ノイズ: 1nV/√Hz (標準値)
  • 高精度のスーパーベータ入力性能:
    • 低いオフセット電圧:35µV (最大値)
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    • 小さいゲイン・ドリフト:G = 1 の場合 5ppm/℃ (最大値)
  • 帯域幅:28MHz (G = 1)、8MHz (G = 100)
  • スルーレート:35V/µs
  • 同相除去:最大ゲインの場合 120dB (最小値)
  • 電源電圧範囲:
    • 単一電源:8V~36V
    • デュアル電源:±4V~±18V
  • 仕様温度範囲: –40℃~+125℃
  • パッケージ:8 ピン SOIC および VSSOP

INA849 は、超低ノイズの計測アンプで、高分解能システムにおける最大の精度と、幅広い単一電源またはデュアル電源範囲での動作を実現するように最適化されています。このデバイスは、スーパーベータ入力トランジスタにより、競合製品よりも大幅に低い入力バイアス電流を実現しています。最新の製造プロセスにより、非常に低い電圧ノイズ、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフトが得られます。

正確にマッチングされた内蔵抵抗により、全入力同相範囲にわたり、92dB (G = 1) と高い同相除去が得られます。単一の外付け抵抗により、1~10,000 の範囲で任意のゲインを設定できます。INA849 の電流帰還トポロジは、極小、高速移動信号に対する広帯域幅を高ゲインで実現しています。たとえば、0.4µs の高速セトリング・タイム (0.01%) で、G = 100 で 8MHz、G = 1 で 28MHz の帯域幅を実現し、高分解能の A/D コンバータ (ADC) を直接駆動します。

INA849 は、超低ノイズの計測アンプで、高分解能システムにおける最大の精度と、幅広い単一電源またはデュアル電源範囲での動作を実現するように最適化されています。このデバイスは、スーパーベータ入力トランジスタにより、競合製品よりも大幅に低い入力バイアス電流を実現しています。最新の製造プロセスにより、非常に低い電圧ノイズ、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフトが得られます。

正確にマッチングされた内蔵抵抗により、全入力同相範囲にわたり、92dB (G = 1) と高い同相除去が得られます。単一の外付け抵抗により、1~10,000 の範囲で任意のゲインを設定できます。INA849 の電流帰還トポロジは、極小、高速移動信号に対する広帯域幅を高ゲインで実現しています。たとえば、0.4µs の高速セトリング・タイム (0.01%) で、G = 100 で 8MHz、G = 1 で 28MHz の帯域幅を実現し、高分解能の A/D コンバータ (ADC) を直接駆動します。

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

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ANALOG-ENGINEER-CALC — アナログ技術者向けカリキュレータ

アナログ・エンジニア向けカリキュレータは、アナログ回路設計エンジニアが日常的に繰り返し行っている計算の多くを迅速化します。この PC ベース・ツールはグラフィカル・インターフェイスにより、帰還抵抗を使用したオペアンプのゲイン設定から、A/D コンバータ(ADC)のドライブ・バッファ回路の安定化に最適な部品の選択に至るまで、一般的に行われている各種計算のリストを表示します。スタンドアロン・ツールとして使用できるほか、『アナログ回路設計式一覧ポケット・ガイド』で説明されているコンセプトと組み合わせることもできます。
lock = エクスポートの承認が必要 (1 分)
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 8 オプションの表示
VSSOP (DGK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

サポートとトレーニング

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