JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4 改訂履歴

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (December 2020)to RevisionB (April 2021)

  • DGK (VSSOP-8) パッケージを事前情報 (プレビュー) から量産データ (アクティブ) に変更Go
  • 電流ノイズの標準値を 1.6pA/√Hz から 1.1 pA/√ (Hz) に変更Go
  • 注 (9) を追加Go
  • 図 7-25、電流ノイズのスペクトル密度と周波数の関係 (RTI) を変更Go
  • 図 7-42 、全高調波歪と周波数との関係を変更Go
  • 図 7-43 、異なる負荷における全高調波歪と周波数との関係を変更Go
  • 図 7-44 、2 次高調波歪と周波数との関係を変更Go
  • 図 7-45 、3 次高調波歪と周波数との関係を変更Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (November 2020)to RevisionA (December 2020)

  • INA849 デバイスを事前情報 (プレビュー) から量産データ (アクティブ) に変更Go
  • プレビューの DGK パッケージとそれに関連する項目を追加Go