JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5 デバイス比較表

デバイス 説明 ゲイン計算式 ピン部の RG ピン
INA159 G = 0.2V 差動アンプ、±10V から 3V および 5V への変換用 G = 0.2V/V N/A
INA819 35µV オフセット、0.4µV/℃ VOS ドリフト、8nV/√Hz ノイズ、低消費電力、高精度計測アンプ G = 1 + 50 kΩ/RG 2、3
INA818 35µV オフセット、0.4µV/℃ VOS ドリフト、8nV/√Hz ノイズ、低消費電力、高精度計測アンプ G = 1 + 50 kΩ/RG 1、8
INA821 35µV オフセット、0.4µV/℃ VOS ドリフト、7nV/√Hz ノイズ、広帯域、高精度計測アンプ G = 1 + 49.4 kΩ/RG 2、3
INA828 50µV オフセット、0.5µV/℃ VOS ドリフト、7nV/√Hz ノイズ、低消費電力、高精度計測アンプ G = 1 + 50 kΩ/RG 1、8
INA333 25µV VOS、0.1µV/℃ VOS ドリフト、1.8V から 5V、RRO、50µA IQ、チョッパー安定化 INA G = 1 + 100 kΩ/RG 1、8
INA848 超低ノイズ (1.5nV/√Hz)、広帯域幅計測アンプ固定ゲイン = 2000 G = 2000V/V N/A
PGA280 ゼロドリフト、高電圧プログラマブル・ゲイン計測アンプ、シグナル・インテグリティ・テスト機能 (過負荷検出、入力スイッチ・マトリクス、配線破損テスト、チェックサム付き SPI、GPIO ポート) 付 デジタル方式プログラマブル N/A
PGA112 高精度、プログラマブル・ゲイン・オペアンプ、SPI 付 デジタル方式プログラマブル N/A