JAJSFF3B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 可変ゲイン設定
      2. 8.3.2 ゲイン・ドリフト
      3. 8.3.3 広い入力同相範囲
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
      3. 9.1.3 消費電力による熱の影響
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 センサ・コンディショニング回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 9.2.2 マイク・プリアンプ回路のファンタム電源
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

INA849 は、超低ノイズの計測アンプで、高分解能システムにおける最大の精度と、幅広い単一電源またはデュアル電源範囲での動作を実現するように最適化されています。このデバイスは、スーパーベータ入力トランジスタにより、競合製品よりも大幅に低い入力バイアス電流を実現しています。最新の製造プロセスにより、非常に低い電圧ノイズ、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフトが得られます。

正確にマッチングされた内蔵抵抗により、全入力同相範囲にわたり、92dB (G = 1) と高い同相除去が得られます。単一の外付け抵抗により、1~10,000 の範囲で任意のゲインを設定できます。INA849 の電流帰還トポロジは、極小、高速移動信号に対する広帯域幅を高ゲインで実現しています。たとえば、0.4µs の高速セトリング・タイム (0.01%) で、G = 100 で 8MHz、G = 1 で 28MHz の帯域幅を実現し、高分解能の A/D コンバータ (ADC) を直接駆動します。

製品情報
部品番号 パッケージ(1) 本体サイズ (公称)
INA849 SOIC (8) 4.90mm × 3.91mm
VSSOP (8) 3.00mm × 3.00mm
利用可能なすべてのパッケージについて、このデータシートの末尾にあるパッケージ・オプションについての付録を参照してください。
GUID-20201008-CA0I-JLH0-S9PG-VF2DQD2KCW12-low.gifINA849 の内部概略回路図
入力換算電圧ノイズ・スペクトル密度と周波数との関係