JAJSCU8C December   2016  – October 2025 OPA4277-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
    1. 4.1 ベア ダイの情報
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 入力保護
      2. 6.3.2 入力バイアス電流のキャンセル
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • JDJ|28
  • HFR|14
  • KGD|0
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.5 電気的特性

TJ = 25℃、VS = ±5V ～ ±15V および RL = 2kΩ (特に記述のない限り)。放射線照射後の仕様は、エンジニアリングサンプルを含む非 RHA グレードには適用されません。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
オフセット電圧
VOS 入力オフセット電圧 TJ = 25℃、放射線照射前後 ±20 ±65 μV
TJ = –55℃ ～ +125℃、放射線照射前 ±140
dVOS/dT 入力オフセット電圧の温度ドリフト TJ = –55℃ ～ +125℃、放射線照射前 ±0.15 μV/℃
入力オフセット電圧の長期安定性 0.2 µV/mo
PSRR 電源除去比
VS =±2V ～ ±18V、
TJ = 25°C、放射線照射前後		 ±0.3 ±1 μV/V
VS = ±2V ～ ±18V、
TA = –55℃ ～ +125℃		 ±1
チャネル セパレーション DC 0.1 μV/V
入力バイアス電流
IB 入力バイアス電流 TJ = -55℃ ～ +125℃ ±17.5 nA
TJ = 25℃、放射線照射前後 ±17.5
IOS 入力オフセット電流 TJ = -55℃ ～ +125℃ ±17.5 nA
TJ = 25℃、放射線照射前後 ±17.5
ノイズ
入力電圧ノイズ ƒ = 0.1～10Hz 0.22 µVpp
入力電圧ノイズ密度 ƒ = 10Hz 12 nV/√Hz
ƒ = 100Hz 8
ƒ = 1kHz 8
ƒ = 10kHz 8
in 入力ノイズ電流密度 ƒ = 1kHz 0.2 fA/√Hz
入力電圧
VCM 同相電圧範囲 TJ = 25℃、放射線照射前後 (V–) + 2 (V+) – 2 V
CMRR 同相除去比 (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V、
TJ = 25°C、放射線照射前後、JDJ パッケージおよび KGD		 114 140 dB
(V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V、
TJ = –55°C ～ +125°C、
JDJ パッケージおよび KGD		 114
(V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V、
TJ = 25°C、放射線照射前後、HFR パッケージ		 100 121
(V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V、
TJ = –55°C ～ +125°C、HFR パッケージ		 100
入力インピーダンス
差動 100 || 3 MΩ || pF
同相 (V-) + 2V < VCM < (V+) - 2V 250 || 3 GΩ || pF
周波数応答
GBW ゲイン帯域幅積 1 MHz
SR スルーレート 0.8 V/μs
セトリング タイム 0.1%、10V ステップ、VS =±15V、G = 1 14 µs
0.01%、10V ステップ、VS =±15V、G = 1 16
THD + N 全高調波歪み + ノイズ 1kHz、G = 1、VO = 3.5Vrms 0.002%
開ループ ゲイン
AOL 開ループ電圧ゲイン VO = (V-) + 0.5V ～ (V+) - 1.2V、
RL = 10kΩ		 140 dB
VO = (V–) + 1.5V ～ (V+) – 1.5V、
RL = 2kΩ、TJ = 25°C、
放射線照射前後、
JDJ パッケージおよび KGD		 118 134
VO = (V–) + 1.5V ～ (V+) – 1.5V、
RL = 2kΩ、TJ = –55°C ～ +125°C、JDJ パッケージおよび KGD		 118 134
VO = (V–) + 1.5V ～ (V+) – 1.5V、
RL = 2kΩ、TJ = 25°C、
放射線照射前後、
HFR パッケージ		 100 123
VO = (V–) + 1.5V ～ (V+) – 1.5V、
RL = 2kΩ、TJ = –55°C ～ +125°C、HFR パッケージ		 100 123
VO = (V–) + 3.4V ～ (V+) – 3.4V、
RL = 600Ω、VS = ±7V、TJ = 25°C、
放射線照射前後、
JDJ パッケージ および KGD		 118 134
VO = (V–) + 3.4V ～ (V+) – 3.4V、
RL = 600Ω、VS = ±7V、
TJ = –55°C ～ +125°C、
JDJ パッケージ および KGD		 118 134
VO = (V–) + 3.4V ～ (V+) – 3.4V、
RL = 600Ω、VS = ±7V、TJ = 25°C、
放射線照射前後、
HFR パッケージ		 90 114
VO = (V–) + 3.4V ～ (V+) – 3.4V、
RL = 600Ω、VS = ±7V、
TJ = –55°C ～ +125°C、 HFR パッケージ		 90 114
出力
VO 出力電圧 RL = 10kΩ、TJ = 25°C、
放射線照射前後		 (V–) + 0.5 (V+) – 1.2 V
RL = 10kΩ、TJ = –55°C ～ +125°C (V–) + 0.5 (V+) – 1.2
RL = 2kΩ、TJ = 25°C、
放射線照射前後		 (V–) + 1.5 (V+) – 1.5
RL = 2kΩ、TJ = –55°C ～ +125°C (V–) + 1.5 (V+) – 1.5
TJ = 25°C、RL = 600Ω、
放射線照射前後		 (V–) + 3.4 (V+) – 3.4
RL = 600Ω、VS = ±7V、
TJ = –55°C ～ +125°C		 (V–) + 3.4 (V+) – 3.4
ISC 短絡電流 ±35 mA
CLOAD 容量性負荷駆動能力 ƒ = 350kHz、IO = 0mA セクション 5.6 を参照してください。
電源
IQ アンプごとの静止電流 IO = 0mA、TJ = 25°C、
放射線照射前後		 ±790 ±850 μA
IO = 0mA、TJ = -55°C ～ +125°C ±900