JAJSV07B June 2024 – November 2025 TDA4APE-Q1 , TDA4VPE-Q1
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
| 番号 | パラメータ | 説明 | モード | 最小値 | 最大値 | 単位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| O1 | tc(CLK) | サイクル時間、CLK | 1.8 V | 19 | ns | |
| 3.3 V | 19 | ns | ||||
| O2 | tw(CLKL) | パルス幅、CLK low | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | ||
| O3 | tw(CLKH) | パルス幅、CLK high | ((0.475P(1)) - 0.3) | ns | ||
| O4 | td(CLK-CSn) | 遅延時間、CSn アクティブ エッジから CLK 立ち上がりエッジまで | 1.8 V | ((0.475P(1)) + (0.975M(2)R(4)) + (0.028TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025M(2)R(4)) + (0.055TD(5)) + 1) | ns |
| 3.3 V | ((0.475P(1)) + (0.975M(2)R(4)) + (0.028TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025M(2)R(4)) + (0.055TD(5)) + 1) | ns | |||
| O5 | td(CLK-CSn) | 遅延時間、CLK 立ち上がりエッジから CSn 非アクティブ エッジまで | 1.8 V | ((0.475P(1)) + (0.975N(3)R(4)) + (0.055TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025N(3)R(4)) + (0.028TD(5)) + 1) | ns |
| 3.3V、OSPI0 DDR TX、 3.3V、OSPI1 DDR TX |
((0.475P(1)) + (0.975N(3)R(4)) + (0.055TD(5)) - 1) | ((0.525P(1)) + (1.025N(3)R(4)) + (0.028TD(5)) + 1) | ns | |||
| O6 | td(CLK-D) | 遅延時間、CLK アクティブ エッジから D[i:0] 遷移まで(6) | 1.8V、OSPI0 DDR TX、 1.8V、OSPI1 DDR TX |
-7.71 | -1.56 | ns |
| 3.3V、OSPI0 DDR TX、 3.3V、OSPI1 DDR TX |
-7.71 | -1.56 | ns |
図 6-109 OSPI のスイッチング特性 – DDR