JAJS313H July   2008  – October 2023 TPS54331

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. 改訂履歴
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  固定周波数 PWM 制御
      2. 7.3.2  電圧リファレンス (VREF)
      3. 7.3.3  ブートストラップ電圧 (BOOT)
      4. 7.3.4  イネーブル、および可変の入力低電圧誤動作防止 (VIN UVLO)
      5. 7.3.5  SS ピンを使用したプログラム可能なスロー・スタート
      6. 7.3.6  エラー・アンプ
      7. 7.3.7  勾配補償
      8. 7.3.8  電流モード補償設計
      9. 7.3.9  過電流保護および周波数シフト
      10. 7.3.10 過電圧過渡保護
      11. 7.3.11 サーマル・シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 Eco-mode
      2. 7.4.2 VIN < 3.5V での動作
      3. 7.4.3 EN 制御による動作
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  WEBENCH® ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2  スイッチング周波数
        3. 8.2.2.3  出力電圧の設定点
        4. 8.2.2.4  入力コンデンサ
        5. 8.2.2.5  出力フィルタ部品
          1. 8.2.2.5.1 インダクタの選択
        6. 8.2.2.6  コンデンサの選択
        7. 8.2.2.7  補償部品
        8. 8.2.2.8  ブートストラップ・コンデンサ
        9. 8.2.2.9  キャッチ・ダイオード
        10. 8.2.2.10 出力電圧の制限
        11. 8.2.2.11 消費電力の推定
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
      3. 8.4.3 電磁干渉 (EMI) に関する考慮事項
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイスのサポート
      1. 9.1.1 開発サポート
        1. 9.1.1.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

補償部品

TPS54331 デバイスで使用される外部補償により、幅広い出力フィルタ構成が可能になります。広範なコンデンサの値と誘電体の種類がサポートされています。この設計例では、セラミック X5R 誘電体出力コンデンサを使用していますが、他の種類のコンデンサもサポートされています。

TPS54331 デバイスでは、Type II 補償方式をお勧めします。補償部品は、出力フィルタ部品で求められる閉ループ・クロスオーバー周波数と位相マージンを設定するために選択されます。Type II 補償には、DC ゲイン成分、低周波数の極、中周波数のゼロ極のペアという特性があります。

DC ゲインを計算するには、式 16 を使用します。

式 16. G D C = V G G M × V R E F V O

ここで、

  • VGGM は 800 です。
  • VREF は 0.8V です。

低周波数の極を計算するには、式 17 を使用します。

式 17. F P O = 1 2 × π × R O O × C Z

中周波数のゼロを計算するには、式 18 を使用します。

式 18. F Z 1 = 1 2 × π × R Z × C Z

中周波数の極を計算するには、式 19 を使用します。

式 19. F P 1 = 1 2 × π × R Z × C P

最初のステップは、閉ループのクロスオーバー周波数を選択することです。一般に、閉ループのクロスオーバー周波数は、最小動作周波数の 1/8 を下回る必要があります。ただし、TPS54331 デバイスでは、最大の閉ループ・クロスオーバー周波数が 25kHz を超えないことをお勧めします。2 番目のステップは、クロスオーバー・ネットワークに必要なゲインと位相ブーストを計算することです。定義上、補償ネットワークのゲインは、変調器と出力フィルタのゲインの逆数にする必要があります。この設計例では、ESR ゼロが閉ループのクロスオーバー周波数よりもはるかに高い場合、変調器と出力フィルタのゲインを式 20 で概算できます。

式 20. G a i n = - 20 × l o g 2 × π × R S E N S E × F C O × C O

ここで、

  • RSENSE は 1Ω/12 です。
  • fCO は閉ループのクロスオーバー周波数です。
  • CO は出力容量です。

位相損失は式 21 で計算します。

式 21. P L = α x t a n 2 × π × F C O × R E S R × C O -   α x t a n 2 × π × F C O × R O × C O

ここで、

  • RESR は、出力コンデンサの等価直列抵抗です。
  • RO は VO / IO です。

回路で測定される全体のループ応答を、図 8-7 に示します。実際の閉ループのクロスオーバー周波数は、約 25kHz において意図した周波数よりも高くなります。これは主に、出力フィルタ部品の実際の値の変動と、内部フィードフォワード・ゲイン回路の公差の変動が原因です。全体として、この設計は位相マージンが 60 度より大きく、ラインと負荷の変動性のあらゆる組み合わせについて完全に安定しています。

位相損失が判明したので、位相マージン要件を満たすために必要な位相ブーストの量を決定できます。式 22 を使用して、必要な位相ブーストを計算します。

式 22. P B = P M - 90 d e g - P L

ここで、

  • PM は求められる位相マージンです。

補償ネットワークのゼロ極ペアは、意図した閉ループ周波数の周囲に対称的に配置され、クロスオーバー・ポイントで最大の位相ブーストを実現します。分離の量は、式 23 で計算できます。式 24式 25 を使用して、得られるゼロ周波数と極周波数を計算します。

式 23. k = t a n P B 2 + 45 d e g
式 24. F Z 1 = F C O k
式 25. F P 1 = F C O × k

低周波数の極は、クロスオーバー周波数のゲインが変調器と出力フィルタのゲインの逆数と等しくなるように設定されます。極とゼロとの関係によって確立される関係のため、式 26 を使用して RZ の値を計算します。

式 26. R Z = 2 × π × F C O × V O × C O × R O A G M C O M P × V G G M × V R E F

ここで、

  • VO は出力電圧です。
  • CO は出力容量です。
  • FCO は求められるクロスオーバー周波数です。
  • ROA は 8MΩ です。
  • GMCOMP は 12A/V です。
  • VGGM は 800 です。
  • VREF は 0.8V です。

RZ の値が判明している場合、式 27式 28 を使用して CZ および CP の値を計算します。

式 27. C Z = 1 2 × π × F Z 1 × R Z
式 28. C P = 1 2 × π × F P 1 × R Z

この設計では、2 つの 47μF 出力コンデンサを使用します。セラミック・コンデンサの場合、コンデンサに DC バイアス電圧が印加されているときの実際の出力容量は定格値未満で、これは DC/DC コンバータで発生します。実際の出力容量は、54μF まで小さくできます。合計 ESR は約 0.001Ω です。

式 20式 21 を使用すると、出力段のゲインと位相損失は次の値になります。

  • ゲイン = -2.26dB
  • PL = -83.52 度

式 22 で 70 度の位相マージンを実現するには、63.52 度の位相ブーストが必要です。

式 23式 24式 25 を使用して、ゼロおよび極の周波数が次のように算出されます。

  • FZ1 = 5883Hz
  • FP1 = 106200Hz

式 26式 27式 28 を使用して、RZ、CZ、CP の値を計算します。

式 29. R Z = 2 × π × 25000 × 3.3 × 54 × 10 - 6 × 8 × 10 6 12 × 800 × 0.8 = 29.2 k Ω
式 30. C Z = 1 2 × π × 6010 × 29200 = 928 p F
式 31. C P = 1 2 × π × 103900 × 29200 = 51 p F

図 8-1 を参照し、R3、C6、C7 の標準値を使用すると、次の値が算出されます。

  • R3 = 29.4kΩ
  • C6 = 1000pF
  • C7 = 47pF