JADA015 January   2026 ADS124S06 , ADS124S08

 

  1.   1
  2.   概要
  3. 1回路設計およびテスト システム
    1. 1.1 設計の概要
    2. 1.2 RTD 測定用 EMC テスト基板の概要
      1. 1.2.1 入力構成と ADC の設定
        1. 1.2.1.1 ローサイド リファレンスを使用した 3 線式 RTD 測定の構成と設定
        2. 1.2.1.2 ハイサイド リファレンスを使用した 3 線式 RTD 測定の構成と設定
      2. 1.2.2 温度誤差 - RTD 測定
        1. 1.2.2.1 RTD 抵抗から RTD 温度を計算する
        2. 1.2.2.2 RTD 測定から温度誤差を計算する
        3. 1.2.2.3 実験の設定と結果
    3. 1.3 TC 測定用 EMC テスト基板の概要
      1. 1.3.1 入力構成と ADC の設定
        1. 1.3.1.1 入力構成
        2. 1.3.1.2 熱電対の特性と ADC の設定
      2. 1.3.2 温度誤差 - TC 測定
        1. 1.3.2.1 TC 熱起電力から温度を計算する
        2. 1.3.2.2 TC 測定から温度誤差を計算する
        3. 1.3.2.3 実験の設定と結果
    4. 1.4 EMC 準拠の回路設計上の検討事項
      1. 1.4.1 アナログ入力保護
      2. 1.4.2 アンチエイリアシング フィルタ
      3. 1.4.3 すべての入力コネクタ ピンに高電圧コンデンサが必要
      4. 1.4.4 放電パスの高電圧コンデンサおよび抵抗
      5. 1.4.5 デジタル信号の直列抵抗
      6. 1.4.6 デジタル アイソレーション
      7. 1.4.7 電源および保護
    5. 1.5 EMC 準拠のための PCB レイアウトの検討事項
      1. 1.5.1 PCB 層の積層とグランド プレーン
      2. 1.5.2 長い帰路の回避
      3. 1.5.3 PCB パターンの 90 度の屈曲を回避する
      4. 1.5.4 ガード リングを使用して干渉信号を絶縁する
      5. 1.5.5 デカップリング コンデンサ
      6. 1.5.6 差動信号の配線
      7. 1.5.7 スティッチング ビア
      8. 1.5.8 絶縁バリアのレイアウト
      9. 1.5.9 部品の配置
    6. 1.6 テスト システム
  4. 2テストの詳細と結果
    1. 2.1 規格とテスト基準
    2. 2.2 静電気放電 (ESD)
    3. 2.3 放射耐性 (RI)
    4. 2.4 電気的高速過渡現象 (EFT)
    5. 2.5 サージ耐性 (SI)
    6. 2.6 伝導耐性 (CI)
  5. 3回路図、PCB レイアウト、部品表
    1. 3.1 回路図 - RTD EMC テスト基板
    2. 3.2 回路図 - TC EMC テスト基板
    3. 3.3 PCB レイアウト - RTD EMC テスト基板 (4 層)
    4. 3.4 PCB レイアウト - RTD EMC テスト基板 (2 層)
    5. 3.5 PCB レイアウト - TC EMC テスト基板 (4 層)
    6. 3.6 PCB レイアウト - TC EMC テスト基板 (2 層)
    7. 3.7 部品表 - RTD EMC テスト基板
    8. 3.8 部品表 - TC EMC テスト基板
  6. 4まとめ
  7. 5参考資料

1.3.2.3 実験の設定と結果

TC 性能テストでは、高精度信号ジェネレータ (DP8200) を使用して、実際の K タイプ TC ではなく温度変化をシミュレートし、高精度測定を維持し、テストを簡素化できます。入力信号は、信号ジェネレータからの誤差を除去するために、Keysight Technologies 3458A デジタル マルチメータ (または同等品) で較正されています。図 1-10 に、VBIAS または REFOUT 熱電対バイアス回路のいずれかで使用できる TC EMC テスト基板回路を示します。

EMC テスト基板上の VBIAS および REFOUT バイアス TC 測定回路図 1-10 EMC テスト基板上の VBIAS および REFOUT バイアス TC 測定回路.

図 1-11 は、VBIAS 熱電対バイアスを使用して測定された未較正温度誤差を青色、較正済み温度誤差を赤色で示しています。このプロットでは、室温で動作する 2 層 TC EMC テスト基板から収集したデータを使用しています。グラフ x 軸は、高精度の信号ジェネレータを使用して ADS124S08 に印加される測定電圧から変換された TC 温度を示しています。

VBIAS バイアスを使用した場合の未較正および較正済み TC 測定総合誤差の比較図 1-11 VBIAS バイアスを使用した場合の未較正および較正済み TC 測定総合誤差の比較.

図 1-12 は、REFOUT 熱電対バイアスを使用して測定された未較正温度誤差を青色、較正済み温度誤差を赤色で示しています。このプロットでは、室温で動作する 2 層 TC EMC テスト基板から収集したデータを使用しています。グラフ x 軸は、高精度の信号ジェネレータを使用して ADS124S08 に印加される測定電圧から変換された TC 温度を示しています。

REFOUT バイアスを使用した場合の未較正および較正済み TC 測定総合誤差の比較図 1-12 REFOUT バイアスを使用した場合の未較正および較正済み TC 測定総合誤差の比較.