JAJS016R August 2003 – May 2025 TPS732
PRODUCTION DATA
TPS732 は NMOS パス トランジスタを使用して、非常に低いドロップアウトを実現しています。(VIN – VOUT) がドロップアウト電圧 (VDO) よりも低い場合、NMOS パス トランジスタはリニア領域での動作になり、入出力抵抗は NMOS パス トランジスタの RDS(on) となります。
TPS732 では、負荷電流の急激な負荷変動時、過渡応答の低下を避けるために VIN から VOUT への電圧降下を十分に確保する必要があります。この過渡ドロップアウト領域の境界は、DC ドロップアウト電圧の約 2 倍です。(VIN – VOUT) の値がこの境界を超えている場合、通常の過渡応答が得られます。
過渡ドロップアウト領域で動作する場合、復帰時間が長くなります。負荷過渡からの回復に要する時間は、負荷電流レートの変化率、負荷電流の変化率、使用可能なヘッドルーム (VIN から VOUT への電圧降下) の関数で求められます。ワーストケース条件 [(VIN – VOUT) が DC ドロップアウト レベルに近い状態でのフルスケール瞬時負荷変動] において、TPS732 は仕様どおりのレギュレーション精度に復帰するまでに数百マイクロ秒を要する場合があります。