JAJS016R August   2003  – May 2025 TPS732

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 熱に関する情報
    6. 5.6 電気的特性
    7. 5.7 スイッチング特性
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 出力ノイズ
      2. 6.3.2 内部電流制限
      3. 6.3.3 イネーブルおよびシャットダウン
      4. 6.3.4 ドロップアウト電圧
      5. 6.3.5 逆電流
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 1.7V ≤ VIN ≤ 5.5V および VEN ≥ 1.7V での通常動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 入出力コンデンサの要件
        2. 7.2.2.2 過渡応答
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.4.1.1 熱に関する注意事項
          1. 7.4.1.1.1 電力散逸
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 評価基板
        2. 8.1.1.2 SPICE モデル
      2. 8.1.2 デバイスの命名規則
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

9 改訂履歴

Changes from Revision Q (September 2024) to Revision R (May 2025)

  • 新しいシリコンを DBV の熱に関する情報に追加Go
  • DRB0008A パッケージ外形の DRB (VSON) を更新Go
  • 「デバイスの項目表記」表で、従来のチップを従来のシリコンに変更Go

Changes from Revision P (December 2015) to Revision Q (September 2024)

  • ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
  • ドキュメント全体で「SON」を「VSON」に変更 Go
  • 新しいシリコンのグランド ピン電流仕様を追加Go
  • 新しいシリコンのシャットダウン電流仕様を追加Go
  • 「 代表的特性」 に新しいシリコン プロットを追加Go
  • 「概要」セクションで、負荷電流の最大ソースを 500mA から 250mA に、ドロップアウト電圧を 250mV から 150mV に変更しました。Go
  • 「入力および出力コンデンサの要件」セクションで、合計 ESR が 50nΩF 未満に低下するよう、および、合計 ESR が 50nF × Ω 未満に低下するよう変更Go
  • 「アプリケーション曲線」セクションに新しいシリコン プロットを追加Go
  • 「レイアウトのガイドライン」セクションを変更Go
  • 「レイアウト例」セクションに DBV および DCQ レイアウトの図を追加Go
  • 「デバイスの項目表記」に M3 の情報を追加Go