JAJSFO8C May   2018  – September 2025 BQ27Z561

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電源電流
    6. 5.6  内部 1.8V LDO (REG18)
    7. 5.7  I/O (PULS、INT)
    8. 5.8  チップ イネーブル (CE)
    9. 5.9  内部温度センサ
    10. 5.10 NTC サーミスタ測定のサポート
    11. 5.11 クーロン カウンタ (CC)
    12. 5.12 アナログ デジタル コンバータ (ADC)
    13. 5.13 内蔵発振器仕様
    14. 5.14 電圧リファレンス 1 (REF1)
    15. 5.15 電圧リファレンス 2 (REF2)
    16. 5.16 フラッシュ メモリ
    17. 5.17 I2C I/O
    18. 5.18 I2C のタイミング - 100kHz
    19. 5.19 I2C のタイミング - 400kHz
    20. 5.20 HDQ のタイミング
    21. 5.21 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  BQ27Z561 プロセッサ
      2. 6.3.2  バッテリ パラメータの測定値
        1. 6.3.2.1 クーロン カウンタ (CC)
        2. 6.3.2.2 CC デジタルフィルタ
        3. 6.3.2.3 ADC マルチプレクサ
        4. 6.3.2.4 A/D コンバータ (ADC)
        5. 6.3.2.5 内部温度センサ
        6. 6.3.2.6 外部温度センサのサポート
      3. 6.3.3  電源制御
      4. 6.3.4  バス通信インターフェイス
      5. 6.3.5  低周波発振器
      6. 6.3.6  高周波発振器
      7. 6.3.7  1.8V 低ドロップアウト レギュレータ
      8. 6.3.8  内部基準電圧
      9. 6.3.9  バッテリ残量計
      10. 6.3.10 充電制御機能
      11. 6.3.11 認証
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 寿命に関する記録機能
      2. 6.4.2 構成
        1. 6.4.2.1 クーロン カウント
        2. 6.4.2.2 セルの電圧測定
        3. 6.4.2.3 自動キャリブレーション
        4. 6.4.2.4 温度測定
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件 (デフォルト)
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 設計パラメータの変更
      3. 7.2.3 キャリブレーション手順
      4. 7.2.4 残量計データの更新
        1. 7.2.4.1 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源要件
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.4 熱に関する情報

自由気流での動作温度範囲内 (特に記述のない限り)
熱評価基準(1)BQ27Z561単位
DSBGA (YPH)
(12 PINS)
RθJA接合部から周囲への熱抵抗64.1℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗59.8
RθJB接合部から基板への熱抵抗52.7
ψJT接合部から上面への特性パラメータ0.3
ψJB接合部から基板への特性パラメータ28.3
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗2.4
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。