JAJSGT5J
NOVEMBER 2006 – January 2019
TS3USB221
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
ブロック図
概略回路図、各 FET スイッチ (SW)
4
改訂履歴
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 3.3 V ± 10%
6.7
Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 2.5 V ± 10%
6.8
Switching Characteristics, VCC = 3.3 V ± 10%
6.9
Switching Characteristics, VCC = 2.5 V ± 10%
6.10
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Low Power Mode
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.3
Application Curves
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
12
デバイスおよびドキュメントのサポート
12.1
ドキュメントのサポート
12.1.1
関連資料
12.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
12.3
コミュニティ・リソース
12.4
商標
12.5
静電気放電に関する注意事項
12.6
Glossary
13
メカニカル、パッケージ、および注文情報
1
特長
2.3V および 3.6V の V
CC
で動作
V
I/O
は最大 5.5V 振幅の信号に対応
1.8V 互換の制御ピン入力
OE
がディセーブルのとき低消費電力モード (1μA)
r
ON
= 6Ω (最大値)
Δr
ON
= 0.2Ω (標準値)
C
io(ON)
= 6pF (最大値)
低消費電力:最大値 30µA
人体モデル (HBM) で 2000V 超の ESD
高帯域幅:1.1GHz (標準値)