JAJSVC7B September   2024  – December 2025 RES60A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 絶対公差およびレシオメトリック公差
      2. 6.3.2 超低ノイズ
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 バッテリ スタック測定
      2. 7.1.2 RES11A-Q1 を使用した RES60A-Q1 のゲイン スケーリング
      3. 7.1.3 HIPOT および OVST
        1. 7.1.3.1 HIPOT のメカニズム
        2. 7.1.3.2 HIPOT の拡張検証
      4. 7.1.4 ホット スワップ応答
      5. 7.1.5 高周波応答
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.1.2 TINA-TI™シミュレーション ソフトウェア (無償ダウンロード)
        3. 8.1.1.3 TI のリファレンス デザイン
        4. 8.1.1.4 Analog Filter Designer
        5. 8.1.1.5 RES60A-Q1 の比率・電圧誤差カリキュレータ
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.5 電気的特性

VD = 1000V の場合、TA = 25°C (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
初期抵抗
RHV 入力抵抗 12.5 MΩ
RLV 比に依存する抵抗(1) RES60A145  86.2 kΩ
RES60A210 59.5
RES60A315 39.7
RES60A410 30.5
RES60A500 25.0
RES60A610 20.5
RES60A100 12.5
Gnom 公称比 RHV/RLV RES60A145 145
RES60A210 210
RES60A315 315
RES60A410 410
RES60A500 500
RES60A610 610
RES60A100 1000
tD 初期比許容誤差(2) VD = 250V ～ VD = 1000V、(RHV/RLV)/Gnom – 1(3) RES60A145 -0.1 ±0.025 0.1 %
RES60A210 -0.1 ±0.029 0.1
RES60A315 -0.1 ±0.026 0.1
RES60A410 -0.1 ±0.016 0.1
RES60A500 -0.1 ±0.017 0.1
RES60A610 -0.1 ±0.018 0.1
RES60A100 -0.1 ±0.013 0.1
tabs 絶対許容誤差 (抵抗あたり)(5) (Rx/Rxnom) – 1(3) -15 -3 15 %
絶対許容範囲スパン MAX(tabsRHV、tabsRLV) – MIN(tabsRHV、tabsRLV) 0.02 %
抵抗ドリフト
動作寿命全体にわたる比許容誤差ドリフト(4) 10 年間連続、TA = –40°C ～ +85°C、
VD = 1000V、(GINITIAL – GFINAL)/GINITIAL(3)		 -0.2 ±0.02 0.2 %
TCRabs 抵抗の絶対温度係数 (抵抗あたり)(5)(6) (ΔRx/Rx(25°C))/ΔTA、TA = –40°C ～ +125°C 23 ppm/°C
TCRratio 分圧器の抵抗温度係数 (分周器ごと)(2)(6) ΔtD / ΔTA、TA = –40°C ～ +85°C -3 -0.8 3 ppm/°C
ΔtD / ΔTA、TA = –40°C ～ +125°C -3 -0.5 3
VCRabs 抵抗の絶対電圧係数 (抵抗あたり)(5)(6) ΔRx/ΔVRx、VD = 100V ～ VD = 1000V RHV ±3.7 Ω/V
RLV ±2.9
VCRratio 分圧抵抗の電圧係数 (分周器ごと)(2)(6) ΔtD/ΔVD、VD = 100V ～ VD = 1000V ±0.3 ppm/V
インピーダンス
CIN ピン容量(6)(7) HVIN、VLVIN = VMID = 0V 1.69 pF
MID、VLVIN = VHIN = 0V 1.12
LVIN、VMID = VHIN = 0V 2.66
–3dB 帯域幅(6)(8) f = 100Hz での減衰に正規化、CFILTERなし RES60A145 68.5 kHz
RES60A210 72.9
RES60A315 77.3
RES60A410 71.7
RES60A500 74.9
RES60A610 73.8
RES60A100 73.7
ts セトリング タイム(6) 1% まで、 10V ステップ  RES60A145 8.3 µs
RES60A210 7.1
RES60A315 6.1
RES60A410 6.0
RES60A500 5.9
RES60A610 5.9
RES60A100 5.6
0.1% まで、 10V ステップ RES60A145 34.8 µs
RES60A210 30.4
RES60A315 22.1
RES60A410 8.7
RES60A500 10.4
RES60A610 9.7
RES60A100 8.7
eN 熱ノイズ密度(7) f = 1kHz RES60A145 36 nV/√Hz
RES60A210 30
RES60A315 25
RES60A410 22
RES60A500 20
RES60A610 18
RES60A100 14
(1) 入力抵抗 (RHV) と公称比 (Gnom) は、RLV の値を決定する制御仕様です。RLV の公称値には、便宜上 3 つの重要な数値が報告されています。
(2) RHV/RLV と公称比との関係。
(3) この仕様値は、この式の計算結果を百分率 (100％ を掛けた値) で示したものです
(4) 設計および加速認定試験により規定されています。
(5) RHV および RLV と公称値との関係。
(6) 特性評価によって仕様規定されています。
(7) 設計により規定されています。
(8) 特定のデバイスおよびアプリケーションの –3dB 帯域幅は、デバイス レベルおよび基板レベルの寄生容量に大きく影響されます。フィードフォワード容量により、高い周波数で減衰が公称値より低くなり、ゲインのピークが発生します。ゲイン シェーピングのため、RLV と並列にフィルタ コンデンサを使用して、周波数全体の減衰が回路と設計目標を満たしていることを確認します。このコンデンサの値は、最適な決定を下し、実験的に検証されたものです。詳細については、「代表的特性」および「レイアウトのガイドライン」を参照してください。