JAJU751G September 2019 – October 2023
従来型の LLC は基本的に Si MOSFET を使用して達成されています。GaN は適切に冷却されており、入力ピンは電圧互換の絶縁型ドライブであるため、このリファレンス・デザインは、GaN を電源管として使用することを考慮しており、過熱 (OT) と過電流 (OC) を区別できます。GaN には温度レポートなどの利点もあり、50mR RDS(on) GaN では 1kW で十分です。
2 次側の 1 次側 GaN を駆動するには、GaN の異常情報を取得できる 2 個の ISO7721 アイソレータを使用します。