6 출력 쇼트키 다이오드 선택

그림 8은 OUT 핀을 접지 미만으로 낮출 때 IC 내부에 발생할 수 있는 이벤트의 시퀀스를 보여줍니다. 기생 PN 접합 다이오드가 전도되기 시작하고 기재에 자유 전자를 주입합니다. 이러한 자유 전자는 IC를 재설정하거나 래치 업 이벤트를 유발할 수 있는 다른 제어 장치와 간섭을 일으킵니다. 기생 PN 접합 다이오드를 통한 대량의 전류 전도는 EOS를 유발하고 EIPD로 이어질 수 있습니다.

OUT 핀에서 피크 음전압을 줄이거나 OUT 핀을 통해 전류를 제한하여 이러한 문제를 예방할 수 있습니다. OUT 핀 가까이에 출력 커패시터를 추가하면 음전압 스파이크에서 일부 에너지를 흡수하고 회전율을 제어하여 피크 음전압을 제한합니다. OUT 핀에 낮은 순방향 전압 쇼트키 다이오드를 추가하면 대체 전류 경로가 제공되고 IC를 통과하는 전류를 제한합니다.

효과적인 클램핑을 위해서는 커패시터와 쇼트키 다이오드의 조합이 필요합니다. 고출력 커패시터가 유용하기는 하지만 쇼트키 다이오드를 선택할 때는 다음 지침을 활용하십시오.

• DC 차단 전압은 최대 입력 작동 전압보다 커야 합니다.
• 선택한 다이오드의 비반복 피크 순방향 서지 전류는 I_P보다 높아야 합니다.
• I_P의 순방향 전압 강하는 OUT 핀의 최대 정격 절대값(TPS25984B의 경우 -1V) 이내여야 합니다.

연이 애플리케이션에서는 Diodes Incorporated 사의 SBR10U45SP5[6] 다이오드 두 개를 병렬로 연결하여 사용했습니다.

그림 9에서는 TPS25984B 솔루션에서 쇼트키 다이오드를 사용할 때와 사용하지 않을 때의 출력 클램핑 성능을 보여줍니다.

고전류 핫 스왑 솔루션을 처리할 때 2차 보호(그림 10 참조)는 출력에서 쇼트키 다이오드 요구 사항을 최소화할 수 있습니다. 보시다시피 D1은 음전압 과도 현상으로부터 발생하는 대부분의 에너지를 흡수합니다. 47Ω과 같이 값이 작은 저항(R1)과 SS13과 같은 다이오드(D2)를 추가하면 남은 에너지가 크게 제한됩니다.