NEST155 April   2025 LM5066I

 

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  2. 簡介
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  4. 為 48V AI 伺服器設計熱插拔電路時所面臨的挑戰
  5. 挑戰 1:輸出短路期間的關閉延遲
  6. 挑戰 2:在負載暫態期間的誤閘極關閉問題
  7. 挑戰 3:在受控(慢速)開啟期間產生平行共振
  8. 建議的電路強化功能
  9. 改善關閉響應
  10. 克服動態負載的誤關閉問題
  11. 10阻尼寄生振盪
  12. 11設計準則和元件選擇
  13. 12Cdv/dt 放電迴路
  14. 13結論
  15. 14參考資料
  16. 15相關網站

挑戰 1:輸出短路期間的關閉延遲

隨著負載電流的增加,需要並聯更多的 MOSFET,以將最大就緒狀態 MOSFET 接點溫度限制在安全值(100°C 至 125°C)內。例如,為了在環境溫度為 70°C 時支援 150A 的就緒狀態負載電流,需要並聯八個德州儀器 (TI) CSD19536KTT MOSFET,以將就緒狀態 MOSFET 接點溫度限制在 100°C。並聯的 MOSFET 有助於散熱,但會增加熱插拔控制器閘極接腳上的有效電容並影響關閉響應。

在輸出短路期間,MOSFET 需要足夠快地關閉,以防止故障電流進一步積聚,並避免損壞 MOSFET、輸入電源或印刷電路板 (PCB)。TI LM5066I 熱插拔控制器的閘極下拉強度限制為 160mA,這不足以在短路事件期間完全關閉所有八個 MOSFET,如 圖 5 所示。

 具有八個 MOSFET 的 LM5066I 控制器的短路響應。圖 5 具有八個 MOSFET 的 LM5066I 控制器的短路響應。