NEST155 April 2025 LM5066I
隨著負載電流的增加,需要並聯更多的 MOSFET,以將最大就緒狀態 MOSFET 接點溫度限制在安全值(100°C 至 125°C)內。例如,為了在環境溫度為 70°C 時支援 150A 的就緒狀態負載電流,需要並聯八個德州儀器 (TI) CSD19536KTT MOSFET,以將就緒狀態 MOSFET 接點溫度限制在 100°C。並聯的 MOSFET 有助於散熱,但會增加熱插拔控制器閘極接腳上的有效電容並影響關閉響應。
在輸出短路期間,MOSFET 需要足夠快地關閉,以防止故障電流進一步積聚,並避免損壞 MOSFET、輸入電源或印刷電路板 (PCB)。TI LM5066I 熱插拔控制器的閘極下拉強度限制為 160mA,這不足以在短路事件期間完全關閉所有八個 MOSFET,如 圖 5 所示。
圖 5 具有八個 MOSFET 的 LM5066I 控制器的短路響應。