NEST155 April 2025 LM5066I
參考文獻 [1] 中迭代了設計熱插拔電路以保護系統和 MOSFET 的程序。我們建議查看參考文獻 [1] 以熟悉設計內容。
將表 1 所示的系統規格輸入 LM5066I 設計計算器,可獲得電流感測電阻器 (RSNS)、功率限制電阻器 (RPWR)、故障定時器電容器 (CTIMER)、緩啟動電容器 (Cdv/dt) 和所選 MOSFET 的並聯數量 (N) 的值。在適用於 48V 人工智慧伺服器的 8kW 熱插拔參考設計 [2] 中,RSNS = 330µΩ,RPWR = 28.7kΩ ,CTIMER = 10nF,Cdv/dt = 47nF 且 N = 8。
其中 VBE(sat) 是 QPD PNP 電晶體的基準射極飽和電壓,而 IGATE(CB) 則是 LM5066I 熱插拔控制器中的開機重設斷路器汲極電流。8kW 熱插拔參考設計使用 RPD 值 = 20Ω。