NEST155 April 2025 LM5066I
在 圖 8 所示的建議解決方案中,引入使用 PNP 電晶體(Q PD 和 RPD)的外部快速下拉電路將提高關閉速度。在輸出短路事件期間,160mA 的閘極下拉電流會在 RPD 電阻器上造成顯著壓降,並使 PNP 電晶體 (Q PD) 快速下拉。這反過來會使所有並聯 MOSFET 的閘極 - 源極短路,立即關閉 MOSFET 以快速斷開電源路徑。圖 9 顯示了具有快速下拉電路之短路事件的實驗結果。