NEST155 April 2025 LM5066I
在此解決方案中,熱插拔閘極節點會在 MOSFET 閘極端子之間放置 DSS 二極體,將熱插拔閘極節點與 MOSFET 閘極端子分離,同樣如 圖 8 所示。這種修改有助於消除輸出電壓漣波到熱插拔控制器閘極節點的反射,並避免緩啟動 PNP 電晶體 Qss 的錯誤導通。變更二極體的位置不會影響啟動期間的控制器行為,也不會影響任何故障事件。如測試結果所示(請參見 圖 10),即使在 1kHz 頻率下從 20A 到 120A 的大負載步進下,系統也能連續運作。
圖 9 具有快速下拉電路的輸出短路回應。
圖 10 在 1kHz 頻率下,負載暫態性能從 20A 到 120A,再回到 20A。