Acelere los diseños de centros de datos de la próxima generación con nuestra amplia gama de productos. Nuestras etapas de potencia, controladores multifásicos, fusibles electrónicos integrados, controladores de intercambio en caliente y microcontroladores proporcionan soluciones en toda la ruta de potencia, desde la red a la puerta. Aproveche nuestra amplia gama de soluciones de reloj, interfaz y conectividad para satisfacer todas las necesidades de su centro de datos. A través de nuestros productos, le ofrecemos rendimiento, confiabilidad y adaptabilidad para garantizar una integración impecable y la protección contra la obsolescencia a futuro sin sacrificar el espacio ni la eficiencia de potencia.   

¿Por qué elegir TI para abordar sus necesidades de centros de datos?

Eficiencia energética
Arquitecturas escalables
Confiabilidad
Vida útil del producto y garantía de suministro

Creación de soluciones de centros de datos de alto rendimiento, confiables y eficientes

Alimentación de centros de datos desde la red a la compuerta

Con el aumento de la demanda de potencia para soportar las cargas de trabajo de IA, la adopción de 800 V y +/-400 V CC es inminente. Nuestra cartera está bien posicionada para satisfacer esta demanda. Nuestras etapas de potencia GaN de alta tensión, controladores digitales, controladores de compuerta aislados y aisladores digitales permiten obtener una conversión CA/CC de alta eficiencia y una alta densidad de potencia.

Para el almacenamiento de energía, se pueden aprovechar nuestros monitores, protectores e indicadores de batería para garantizar un funcionamiento seguro y confiable de las unidades de batería y de respaldo capacitivo. Para admitir la distribución, protección y conversión de CC a nivel de rack, nuestros controladores de intercambio en caliente, etapas de potencia GaN de alta y media tensión y MCU con aceleradores de IA integrados proporcionan protección rápida contra fallos y una conversión CC/CC eficiente para las cargas de trabajo críticas.


Technical article

Addressing challenges in data-center power delivery with 800V high-voltage DC architectures (Rev. B)

La conversión de potencia 800 V y +/-400 V CC es el núcleo de las próximas arquitecturas de suministro de potencia para centros de datos de IA. Las tecnologías como el nitruro de galio (GaN) permiten la densidad de potencia y la eficiencia de conversión en estos sistemas.

TI trabaja en equipo con NVIDIA para llevar una distribución eficiente de potencia a la infraestructura de IA

Texas Instruments está trabajando con NVIDIA en el desarrollo de tecnologías de administración y detección de potencia para sistemas de distribución de potencia de 800 V DC para servidores de centros de datos.

LMG3100R017ACTIVO

FET de GaN de 100 V y 1.7 mΩ con controlador integrado

TMS320F28P650DKACTIVO

Microcontrolador C2000™ de 32 bits, 2 CPU C28x+CLA, paso de bloqueo, flash de 1.28 MB, ADC de 16 b,

LMG3650R025ACTIVO

Transistor de efecto de campo (FET) de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 25 mΩ con conductor int