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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
NUEVO

LMG3650R025

ACTIVO

Transistor de efecto de campo (FET) de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 25 mΩ con conductor int

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LMG3650R025

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Detalles del producto

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 25 ID (max) (A) 30 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 25 ID (max) (A) 30 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
TO-OTHER (KLA) 9 115.632 mm² 9.9 x 11.68
  • 650V 25mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 80V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • LMG3656R025 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3657R025 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad
  • 650V 25mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 80V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • LMG3656R025 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3657R025 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad

The LMG365xR025 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 80V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R025 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R025 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R025 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

The LMG365xR025 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 80V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R025 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R025 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R025 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet LMG365xR025 650V 25 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. A) PDF | HTML 10 dic 2025

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Tarjeta secundaria

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Test report: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
TO-OTHER (KLA) 9 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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