Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
Maximice la densidad de potencia y la eficiencia con nuestra gama de dispositivos de potencia de GaN para todos los niveles de potencia.
Nuevos productos
Transistor FET de GaN de 600 V y 50 mΩ con conductor integrado, protección y detección de tensión
Precio aprox. (USD) 1ku | 7.94
Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote
Precio aprox. (USD) 1ku | 3.75
Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con conductor inte
Precio aprox. (USD) 1ku | 11.844
FET de GaN de 100 V y 1.7 mΩ con controlador integrado
Precio aprox. (USD) 1ku | 4.9
FET de GaN de 650 V y 120 mΩ con controlador y protección integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 3.25
FET de GaN de 650 V y 270 mΩ con controlador y protección integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 2.2
Ventajas de la tecnología GaN de Texas Instruments (TI)
Mayor velocidad de conmutación que los FET de GaN discretos
Nuestros FET de GaN con controladores integrados pueden alcanzar velocidades de conmutación de 150 V/ns. Estas velocidades de conmutación, combinadas con un encapsulado de baja inductancia, nos permiten reducir las pérdidas y conseguir una conmutación limpia con un sobreimpulso minimizado.
Menor magnetismo, mayor densidad de potencia
Nuestros dispositivos GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas, que pueden ayudarle a alcanzar frecuencias de conmutación de más de 500 kHz. Esto se traduce en una reducción del magnetismo de hasta el 60%, un mayor rendimiento y una reducción de los costos del sistema.
Diseñado para la fiabilidad
Nuestros dispositivos de GaN están diseñados para mantener la seguridad de los sistemas de alta tensión gracias a un proceso GaN-on-Si patentado, más de 40 millones de horas de pruebas de fiabilidad y diversas funciones de protección.
Herramientas y recursos de diseño específicos
Acorte el tiempo de comercialización con nuestros recursos de diseño de GaN, que incluyen calculadoras de disipación de potencia, modelos PLECS para simulación de circuitos y placas de evaluación para pruebas y funcionamiento en sistemas más grandes.
Por qué elegir GaN
Comprensión de la tecnología GaN
GaN ofrece una mayor densidad de potencia, un funcionamiento más fiable y una eficiencia mejorada en comparación con las soluciones tradicionales basadas únicamente en silicio. Visite nuestra página de tecnología para obtener más información sobre GaN como tecnología de transistores de potencia, descubrir aplicaciones GaN destacadas, escuchar las opiniones de nuestros clientes y comprobar por sí mismo cómo nuestros productos GaN pueden ayudarle a minimizar el peso, el tamaño y el costo de su próximo diseño de fuente de alimentación.
Herramientas y recursos para ayudarle con su diseño
Ofrecemos numerosos recursos para asistirle en su diseño y ayudarle a seleccionar el dispositivo adecuado para su aplicación. Nuestras herramientas de cálculo de disipación de potencia pueden ayudarle en la selección de productos mostrando la disipación de potencia de los dispositivos seleccionados con los parámetros definidos por el usuario. Nuestros modelos PLECS permiten simular el funcionamiento de dispositivos GaN para estimar la temperatura de unión de los FET y proporcionan una velocidad de subida ajustable durante el encendido. También están disponibles nuestras tarjetas secundarias de evaluación de medio puente para pruebas y operaciones en sistemas más grandes.
Recursos técnicos
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Third quadrant operation of GaN
Recursos de diseño y desarrollo
Diseño de referencia de ANPC trifásico bidireccional de 11 kW basado en GaN
Este diseño de referencia proporciona una plantilla de diseño para implementar una etapa de potencia del inversor ANPC trifásico de tres niveles, basada en nitruro de galio (GaN). El uso de dispositivos de potencia de conmutación rápida permite cambiar a una frecuencia más alta de 100 kHz, lo que (...)