The LMG3616 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3616 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3616 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
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| * | Hoja de datos | LMG3616650-V270-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 14/11/2023 | |
| Artículo técnico | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 30/01/2024 | ||
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 28/11/2023 |
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En el módulo de evaluación (EVM) de LMG3626EVM-074, se demuestra una eficiencia y una densidad altas para un adaptador USB Type-C® Power Delivery (PD) fuera de línea de 65 W mediante el controlador LMG3626 GaN FET integrado con emulación de detección de corriente. La entrada admite una tensión (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
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