Mejora de la densidad de potencia de 3 veces con respecto a IGBT y 1.25 veces con respecto a SiC.

Convertidor de red CA/CC bidireccional de 5 kW que utiliza GaN y obtiene una eficiencia del 99 %, sin refrigeración de aire forzado; admite tensiones de bus de hasta 1400 V. Características de LMG3410R050: Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 50 mΩ con controlador y protección contra sobrecorrientes integrados y controlador digital C2000