DDR メモリ向け電源 IC
高密度、高効率、優れたコスト効率
カテゴリ別の参照
開発中システムの要件に対応できるように、TI は幅広い DDR ターミネータ製品ラインアップを提供しており、リニアとスイッチング両方のレギュレータをベースとした最適なソリューションからの選択が可能です。DDR の VDDQ と VTT を想定した各種電圧レギュレータ デバイスは、低電圧リファレンスを内蔵しており、低い DDR コア電圧と終端出力電圧のレギュレーションを実行できます。標準的なリニア レギュレータやスイッチング レギュレータと比較すると、各種 DDR ターミネータは終端電流のシンク (吸い込み) またはソース (供給) 能力を強化しているほか、VDDQ/2 入力をトラッキングするための外部リファレンス入力機能を搭載しており、VTT 終端レールを生成することができます。
種類別に表示
標準 DDR
低消費電力 (LP) DDR
技術リソース
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
設計と開発に役立つリソース
TPS51200 シンクとソース (吸い込みと供給) の両方に対応、DDR 終端レギュレータ
TPS51200EVM 評価ボード、言い換えると HPA322A は、TI のコスト最適化済み DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 向け VTT 終端レギュレータである TPS51200 の性能と特性を評価するための設計を採用しています。TPS51200 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付き基準電圧を供給する設計であり、最小限の外付け部品で、DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) の各仕様に対応できます。
VTTREF バッファ付きリファレンス搭載、2A ピーク シンク / ソース (吸い込みと供給) DDR 終端レギュレータ
TPS51206EVM-745 評価基板 (EVM) は、TPS51206 を採用しています。TPS51206 は、シンク / ソース (吸い込みと供給) に対応する DDR (ダブル データ レート) 終端レギュレータであり、VTTREF バッファ付きリファレンス出力を搭載しています。低入力電圧、低コスト、少ない外付け部品点数、スペース節減重視のシステムに適した特化型設計です。TPS51206EVM-745 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付きリファレンス電圧を供給する設計を採用しています。対応するメモリと電圧の仕様は、DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (...)
TPS54116-Q1 車載 DDR 電源ソリューション評価基板
この評価基板は、TPS54116-Q1 レギュレータを使用して設計するときに実現することができる小型プリント基板 (PCB) を提示する目的で設計済みです。外部デバイダを使用して、調整可能な出力電圧を実現することができます。TPS54116-Q1 DC/DC コンバータは、DDR メモリ終端の目的で、1A のソース (供給) またはシンク (吸い込み) を実現する LDO を内蔵して、最大 4A の出力を供給する設計を採用した同期整流降圧コンバータです。