ガルバニック絶縁に対応するどのようなテクノロジーが存在していますか？ガルバニック絶縁は 2 つの領域を電気的に分離し、人間の安全性を低下させずに、バリア経由で電力または信号を伝送できるようにする手法です。同時に、グランドの潜在的な電位差の発生を防止し、ノイズ耐性を改善します。静電容量性 SiO2 絶縁バリアや、IC 内部のトランスをベースとする磁気絶縁など、TI 独自の絶縁テクノロジーは、性能を犠牲にせずに、VDE (ドイツ電気技術者協会)、CSA (カナダ規格協会)、UL (Underwriters Laboratory) の各規格を上回る性能の実現に役立ちます。
TI の絶縁テクノロジーの利点
システムの堅牢性&信頼性の向上
TI の高電圧絶縁型製品ラインアップは、低レイテンシ、優れた同相過渡耐性、信頼性の高い性能を実現します。
システム コストの低減
TI の絶縁技術を採用すると、部品表の低減、システム コストの削減、ソリューション サイズの大幅な縮小を実現できます。
スケーラビリティ
TI の革新的なパッケージングと世界各地にある自社所有の製造施設は、より多くのアナログ IC の機能で、機能絶縁、基本絶縁、強化絶縁の能力を実現するのに役立ちます。
設計による違い
絶縁の効果は明白ですが、TI はさらに改善の余地があることを理解しています。こちらの短いビデオをご覧になると、絶縁型設計で信頼性と低コストを維持するために TI が進めている革新を確認できます。
四半世紀近くにわたって革新を継続的に推進
主な絶縁製品
絶縁関連の主なリファレンス デザイン
ソリッド ステート リレー (半導体リレー) 向け、過電流と過熱保護のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、半導体リレーに関連する過電流保護と過熱保護の実現方法を提示します。このリファレンス デザインは、 TPSI3050-Q1 5kVRMS 強化絶縁型スイッチ ドライバを採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。加えて、TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に電力を供給できます。このリファレンス デザインは、最大 4A の負荷条件で、最大 500VDC または 350VAC (...)
車載対応、SPI プログラマブル ゲート ドライバとトランス内蔵バイアス電源のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、トラクション インバータとオンボード チャージャ内のパワー スイッチを想定した、絶縁型バイアス電源と絶縁型ゲート ドライバを実現します。バイアス電源とドライバの両方が、800VDC バス アプリケーションが必要とする高い絶縁能力 (3kV RMS で 1 分間) を達成しています。絶縁型バイアスは 24VDC を生成するほか、+15V と -5V 両方のゲート駆動バイアスを供給します。この絶縁型ドライバは、このような大電力スイッチのオン / オフを迅速に切り替えるために必要な大電流 (最大 30A ピーク) (...)
高電圧の EV (電気自動車) 充電とソーラー エネルギー分野の絶縁監視に適した AFE (アナログ フロント エンド) のリファレンス デザイン
高電圧設計の継続的な推進に役立つ
高信頼性で低コストの絶縁テクノロジーは、高電圧アプリケーションの業務特有のいくつかの課題への対処に役立ちます。TI の高電圧テクノロジーのページにアクセスすると、電力変換、電流と電圧のセンシング、絶縁、リアルタイム制御の各テクノロジーの詳細を参照し、次期高電圧設計で TI 製品を選択する利点を確認することができます。