絶縁
より信頼性の高い絶縁の採用を通じて、より低いシステム コストで、安全性が向上
ガルバニック絶縁に対応するどのようなテクノロジーが存在していますか？
ガルバニック絶縁は 2 つの領域を電気的に分離し、人間の安全性を低下させずに、バリア経由で電力または信号を伝送できるようにする手法です。同時に、グランドの潜在的な電位差の発生を防止し、ノイズ耐性を改善します。静電容量性 SiO2 絶縁バリアや、IC 内部のトランスをベースとする磁気絶縁など、TI 独自の絶縁テクノロジーは、性能を犠牲にせずに、VDE (ドイツ電気技術者協会)、CSA (カナダ規格協会)、UL (Underwriters Laboratory) の各規格を上回る性能の実現に役立ちます。
TI の絶縁テクノロジーの利点
システムの堅牢性と信頼性の向上
TI の高電圧絶縁型製品ラインアップは、低レイテンシ、優れた同相過渡耐性、信頼性の高い性能を実現します。
システム コストの低減
TI の絶縁テクノロジーを採用すると、部品表 (BOM) の低減、システム コストの削減、ソリューション サイズの大幅な縮小を実現できます。
スケーラビリティ
TI の革新的なパッケージングと世界各地にある自社所有の製造施設は、より多くのアナログ IC の機能で、機能絶縁、基本絶縁、強化絶縁の能力を実現するのに役立ちます。
設計による違い
絶縁の効果は明白ですが、TI はさらに改善の余地があることを理解しています。こちらの短いビデオをご覧になると、絶縁型設計で信頼性と低コストを維持するために TI が進めている革新を確認できます。
四半世紀近くにわたって革新を継続的に推進
主な絶縁製品
絶縁関連の主なリファレンス デザイン
ソリッド・ステート・リレー (半導体リレー) 向け、過電流と過熱保護のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、半導体リレーに関連する過電流保護と過熱保護の実現方法を提示します。このリファレンス・デザインは、5kVRMS 強化絶縁型スイッチ・ドライバである TPSI3050-Q1 を採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート・トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。加えて、TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に電力を供給できます。このリファレンス・デザインは、最大 4A の負荷条件で、最大 500VDC または 350VAC (...)
車載対応、SPI プログラマブル・ゲート・ドライバとトランス内蔵バイアス電源のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、トラクション・インバータとオンボード・チャージャ内のパワー・スイッチを想定した、絶縁型バイアス電源と絶縁型ゲート・ドライバを実現します。バイアス電源とドライバの両方が、800VDC バス・アプリケーションが必要とする高い絶縁能力 (3kV RMS で 1 分間) を達成しています。絶縁型バイアスは 24VDC を生成するほか、+15V と -5V 両方のゲート駆動バイアスを供給します。この絶縁型ドライバは、このような大電力スイッチのオン / オフを迅速に切り替えるために必要な大電流 (最大 30A ピーク) (...)
高電圧の EV (電気自動車) 充電とソーラー・エネルギー分野の絶縁監視に適した AFE (アナログ・フロント・エンド) のリファレンス・デザイン
高電圧設計の継続的な推進に役立つ
高信頼性で低コストの絶縁テクノロジーは、高電圧アプリケーションの業務特有のいくつかの課題への対処に役立ちます。TI の高電圧テクノロジーのページにアクセスすると、電力変換、電流と電圧のセンシング、絶縁、リアルタイム制御の各テクノロジーの詳細を参照し、次期高電圧設計で TI 製品を選択する利点を確認することができます。