高電圧設計の可能性を最大限に引き出します

インバータとモーター制御の各システムで TI の高電圧技術を活用すると、非常に信頼性の高いソリューションを実現できます。

利点：

• IGBT と SiC FET 向けの絶縁型ゲート・ドライバを使用すると、システム・レベルの効率を改善し、障害条件を監視することができます。
• 高性能リアルタイム・マイコンを使用すると、新しいアーキテクチャの構築、航続距離の延長、電力密度の向上を実現できます。
• バイアス電源ソリューションを採用すると、システム・コストの最適化と、機能安全の効率化を実現できます。
• TI の各種センシング・ソリューションを使用すると、電流と電圧を高精度測定し、システムの効率、信頼性、性能を向上させることができます。 

TI の高電圧電力変換技術と電流や電圧のセンシング技術を活用して、信頼性の高いソーラー・エネルギーとエネルギー・ストレージの各システムを製作すると、いっそう持続可能性の高い将来を実現しやすくなります。

利点：

• 各種 GaN FET や、SiC と IGBT の各ゲート・ドライバとバイアス電源、高度なリアルタイム制御マイコンで構成された TI の製品ラインアップを活用すると、電力密度を向上させることができます。
• 制御ループ、アーク検出、絶縁に関する要件を満たす、高速で高精度の電流センシングを実現できます。 

電流と電圧のセンシングや絶縁監視など、BMS (バッテリ管理システム) の非常に重要な機能で技術的革新を活用する各種 BMS ソリューションを採用すると、電気自動車 (EV) の普及に影響を及ぼすいくつかの課題を克服しやすくなります。

利点：

• 電流と電圧の高精度測定を実現すると、バッテリ・モニタとバランサを活用し、バッテリ・パックの安全性を効果的に管理することができます。
• ソリッドステート・リレー (半導体リレー) を活用すると、業界をリードする信頼性の確保、800V EV BMS (バッテリ管理システム) の安全性向上、システムのサイズとコストの最大 50% 低減を実現できます。

DC 充電ステーションと wallbox つまり家庭設置用チャージャのコストを削減すると同時に、安全性とユーザー環境全体の向上につながる各種設計を活用すると、自動車の電動化という次世代構想を推進できます。

利点：

• 希望のワイド・バンドギャップ IC を、GaN (窒化ガリウム) FET、SiC と IGBT の各ゲート・ドライバ、絶縁型バイアス電源で構成された TI の製品ラインアップと組み合わせて使用することができます。
• GaN 技術を採用すると、IGBT ベースのソリューションに比べて電力密度を向上させ、DC wallbox つまり家庭設置用チャージャのサイズを小型化することができます。
• 業界をリードする電流と電圧センシング技術を活用すると、複数の電圧ドメイン間で信頼性の高いデータ転送を実現できます。 

高電圧の電力変換技術と低レイテンシのリアルタイム制御技術を取り揃えた TI の製品ラインアップを活用すると、信頼性と電力密度がいっそう向上し、エネルギー効率が高く、適切な保護機能を採用した電源を設計して製作することができます。

利点：

• TI の GaN 技術を活用すると、 80 Plus® Titanium を上回る 96.5% のエネルギー効率を達成できます。
• TI の各種統合型ゲート・ドライバを使用すると、寄生損失を低減し、システム・レベルの設計を容易にすることができます。