DDR 메모리 전원 IC
고밀도, 효율성, 비용 효율성
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TI는 고객의 시스템 요구 사항에 맞는 방대하고 다양한 DDR 터미네이터 포트폴리오를 갖추고 있으며, 선형 레귤레이터와 스위칭 레귤레이터 기반 솔루션 양쪽에서 모두 선택할 수 있습니다. DDR VDDQ와 VTT 디바이스에는 저 DDR 코어와 터미네이션 출력 전압을 조절하기 위한 낮은 내부 레퍼런스가 특징입니다. 표준 선형 및 스위칭 레귤레이터와 비교했을 때, DDR 터미네이터는 싱크 또는 소스 터미네이션 및 전류 기능, 외부 레퍼런스 입력을 갖추고 있어 VDDQ/2 입력을 추적하고 VTT 터미네이션 레일을 생성할 수 있습니다.
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표준 DDR
저전력 DDR
기술 리소스
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
설계 및 개발 자료
TPS51200 싱크 소스 DDR 터미네이션 레귤레이터
TPS51200EVM 평가 보드인 HPA322A는 TI의 비용에 최적화된 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 터미네이션 레귤레이터인 TPS51200의 성능과 특성을 평가하도록 설계되었습니다. TPS51200은 최소한의 외부 부품으로 DDR(2.5V/1.25V), DDR2(1.8V/0.9V), DDR3(1.5V/0.75V), LP DDR3(1.2V/0.6V) 사양을 지원하는 DDR 메모리에 적절한 터미네이션 전압 및 10mA 버퍼 레퍼런스 전압을 제공하도록 설계되었습니다.
VTTREF 버퍼 레퍼런스가 내장된 2A 피크 싱크/소스 DDR 터미네이션 레귤레이터
TPS51206EVM-745 평가 모듈(EVM)은 TPS51206을 평가하는 데 사용됩니다. TPS51206은 VTTREF 버퍼 레퍼런스 출력을 지원하는 싱크/소스 DDR(두 배 데이터 속도) 터미네이션 레귤레이터입니다. 공간이 중요한 경우 낮은 입력 전압, 낮은 비용, 적은 외부 부품 수가 적은 시스템을 위해 특별히 설계되었습니다. TPS51206EVM-745는 최소한의 외부 부품으로 DDR2(0.9VTT), DDR3(0.75VTT), DDR3L(0.675VTT) 및 DDR4(0.6VTT) 사양을 다루는 DDR 메모리에 적절한 (...)
TPS54116-Q1 오토모티브 DDR 전원 솔루션 평가 모듈
이 평가 모듈은 TPS54116-Q1 레귤레이터를 사용하여 설계할 때 달성할 수 있는 작은 인쇄 회로 보드 영역을 시연하기 위해 설계되었습니다. 외부 분배기를 통해 출력 전압을 조정할 수 있습니다. TPS54116-Q1 DC/DC 컨버터는 DDR 메모리 종단을 위한 통합 1A 소스/싱크 LDO와 함께 최대 4A 출력을 제공하도록 설계된 동기 벅 컨버터입니다.