Produktdetails

Technology family ACT Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 2 Inputs per channel 4 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Input type TTL-Compatible CMOS Output type Push-Pull Features Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family ACT Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Number of channels 2 Inputs per channel 4 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Input type TTL-Compatible CMOS Output type Push-Pull Features Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67
  • Inputs Are TTL-Voltage Compatible
  • Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption
  • Balanced Propagation Delays
  • ±24-mA Output Drive Current
    • Fanout to 15 F Devices
  • SCR-Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design
  • Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, Method 3015

  • Inputs Are TTL-Voltage Compatible
  • Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption
  • Balanced Propagation Delays
  • ±24-mA Output Drive Current
    • Fanout to 15 F Devices
  • SCR-Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design
  • Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, Method 3015

The ’ACT20 devices contain two independent 4-input NAND gates. They perform the Boolean function Y = (A • B • C • D)\ or Y = A\ + B\ + C\ + D\ in positive logic.

The ’ACT20 devices contain two independent 4-input NAND gates. They perform the Boolean function Y = (A • B • C • D)\ or Y = A\ + B\ + C\ + D\ in positive logic.

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 12
Typ Titel Datum
* Data sheet CD54ACT20, CD74ACT20 datasheet 15 Nov 2002
* SMD CD54ACT20 SMD 5962-00513 21 Jun 2016
Application note Implications of Slow or Floating CMOS Inputs (Rev. E) 26 Jul 2021
Selection guide Logic Guide (Rev. AB) 12 Jun 2017
Application note Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 02 Dez 2015
User guide LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 16 Jan 2007
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 08 Jul 2004
Application note Selecting the Right Level Translation Solution (Rev. A) 22 Jun 2004
Application note TI IBIS File Creation, Validation, and Distribution Processes 29 Aug 2002
Application note CMOS Power Consumption and CPD Calculation (Rev. B) 01 Jun 1997
Application note Designing With Logic (Rev. C) 01 Jun 1997
Application note Using High Speed CMOS and Advanced CMOS in Systems With Multiple Vcc 01 Apr 1996

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
CDIP (J) 14 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Support und Schulungen

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Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

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