Passiv und diskret

Schützen Sie Ihr System zuverlässig vor elektrostatischer Entladung und Überspannung

Unser Portfolio an ESD-Dioden (elektrostatische Entladung), TVS-Dioden (Transientenspannungs-Unterdrücker) und Zener-Dioden umfasst mehrere Gehäuse- und Spannungsoptionen.

Vorteile:

• ESD-Dioden mit < 0,5 pF schützen Datenleitungen mit Geschwindigkeiten von bis zu 30 GHz und gewährleisten im Normalbetrieb Signalintegrität.
• Die Flat-Clamp-TVS-Technologie bietet eine zuverlässige Lösung zur Ableitung von Überspannungstransienten mit einer präzisen, flachen und temperaturunabhängigen Klemmspannung, die die Restspannung im geschützten System minimiert.
• Die für die Automobilindustrie geeigneten Bausteine des Portfolios erfüllen die strengen Normen für Systeme, die einen Schutz bis zu 30 kV erfordern.

Hochleistungsschaltungen mit SiCr-Dünnschicht-Widerstandsnetzwerken

Unsere Silizium-Chrom-Dünnschicht-Widerstandsnetzwerke verwenden Interdigitationstechniken, um eine hohe Element-zu-Element-Anpassung zu erreichen, und sind widerstandsfähig gegen Alterung und Temperaturbelastungen.

Vorteile:

• Dünnschicht-SiCr ermöglicht einen hohen Interdigitationsgrad bei kleinen Formfaktoren und bietet gleichzeitig ein geringeres Flicker-Rauschen als Dickschichtlösungen.
• Die On-Chip-Interdigitation ermöglicht die effektive Platzierung mehrerer Widerstände an der gleichen Stelle auf dem Wafer, wodurch sichergestellt wird, dass Variationen des Dünnschicht-Widerstandsmaterials auf dem Wafer alle Widerstände gleichermaßen betrifft.
• Abgestimmte Widerstände erreichen extrem niedrige ratiometrische Temperaturkoeffizienten mit einer typischen Drift von maximal 0,2 ppm/°C.

Rauscharme Sensoren und Audioschaltungen mit hoher Impedanz mit Burr-Brown™-JFETs

Diskrete JFETs (Sperrschicht-Feldeffekttransistoren) können ein wesentlich geringeres Rauschen bei vergleichsweise geringerem Stromverbrauch als integrierte Verstärker erreichen. Sie sind daher eine ausgezeichnete Wahl für induktive Sensoren, die Verstärker mit niedriger Spannung und geringem Stromrauschen erfordern.

Vorteile:

• Extrem geringes Breitband-Spannungsrauschen, ähnlich wie bei bipolaren Sperrschichttransistoren, jedoch mit dem zusätzlichen Vorteil eines extrem geringen Stromrauschens. 
• Optionen für einkanalige Flexibilität und zweikanalige Anpassung.
• Zwei JFETs, die monolithisch auf demselben Die gefertigt werden, passen viel besser zueinander als einzelne Transistoren, wodurch DC-Offsets in Schaltungen mit hoher Verstärkung vermieden werden.

Erreichen Sie eine exakte Temperaturüberwachung bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemkomplexität

Lineare Thermistoren auf Siliziumbasis bieten eine hohe Empfindlichkeit über den gesamten Temperaturbereich und verbessern so die Leistung und Zuverlässigkeit. 

Vorteile:

• Eliminieren Sie Linearisierungsschaltungen oder hardwarebasierte Widerstands-Kondensatorfilter.
• Führen Sie schnellere und genauere Softwareumwandlungen als NTC-Thermistoren (negativer Temperaturkoeffizient) durch, während Sie gleichzeitig den Speicherbedarf verringern.
• Erzielen Sie ohne Mehrpunktkalibrierung eine bis zu 50 % höhere Genauigkeit als NTC-Thermistoren.
• Ermöglichen Sie um fast 300 % schnellere Reaktionszeiten und höhere Empfindlichkeit bei höheren Temperaturen aufgrund einer geringeren thermischen Masse.
• Das Portfolio umfasst funktionssicherheitsfähige Bausteine von TI und eine Dokumentation zur Ausfallraten-/Ausfallmodusverteilung.
• Eine geringe Eigenerwärmung minimiert die langfristige Sensordrift.

Nutzen Sie die Vorteile der BAW-Technologie in unseren Oszillatoren

BAW-Resonatoren (Bulk Acoustic Wave) bieten eine deutliche Optimierung gegenüber bestehenden Quarz- und Mikro-elektromechanischen Resonatortechnologien. Unser Portfolio umfasst Oszillatoren mit Frequenzen von 1 MHz bis 400 MHz, Gehäuse nach Industriestandard, einen geringen Stromverbrauch und einen großen Versorgungsspannungsbereich.

Vorteile:

• Quarzoszillatoren auf BAW-Basis bieten eine hohe Zuverlässigkeit, auch bei Vibrationen und Stößen, eine hohe durchschnittliche Zeit zwischen Ausfällen (MTBF) und Temperaturstabilität und sind widerstandsfähig gegen Alterung und Umgebungsfaktoren.
• Erreicht weniger als 100 fs des Root-Mean-Square-Jitter.
• Es sind keine Änderungen am Design oder Platinenlayout erforderlich, um Quarzoszillatoren durch BAW-Oszillatoren zu ersetzen.