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CSD86311W1723

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25 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle, WLP, 1,7 mm x 2,3 mm, 42 mOhm

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CSD86311W1723

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Produktdetails

VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 50 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 3.1 QGD (typ) (nC) 0.33 QGS (typ) (nC) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4.5 ID - package limited (A) 4.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 50 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 3.1 QGD (typ) (nC) 0.33 QGS (typ) (nC) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4.5 ID - package limited (A) 4.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZG) 12 3.9375 mm² (— mm × — mm)
  • Dual N-Ch MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • APPLICATIONS
    • Battery Management
    • Battery Protection
    • DC-DC Converters
  • Dual N-Ch MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • APPLICATIONS
    • Battery Management
    • Battery Protection
    • DC-DC Converters

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance and gate charge coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained application in load management as well as DC-DC converter applications

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance and gate charge coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained application in load management as well as DC-DC converter applications
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt Dual N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet 04.05.2010
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 06.11.2024
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14.06.2019
Auswahlhilfe Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25.06.2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD86311W1723 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLLM124A.ZIP (8 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DSBGA (YZG) 12 Ultra Librarian
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Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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