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CSD87503Q3E

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30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm

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CSD87503Q3E

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Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 16.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 21.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.7 QG (typ) (nC) 13.4 QGD (typ) (nC) 5.8 QGS (typ) (nC) 4.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 ID - package limited (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 16.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 21.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.7 QG (typ) (nC) 13.4 QGD (typ) (nC) 5.8 QGS (typ) (nC) 4.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 ID - package limited (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DTD) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Dual N-Ch Common Source MOSFETs
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Low-Thermal Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • Dual N-Ch Common Source MOSFETs
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Low-Thermal Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

The CSD87503Q3E is a 30-V, 13.5-mΩ, common source, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain-to-drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

The CSD87503Q3E is a 30-V, 13.5-mΩ, common source, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain-to-drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs datasheet PDF | HTML 13.09.2017
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 06.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16.11.2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD85703Q3E Unencrypted PSpice Model

SLPM335.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON (DTD) 8 Ultra Librarian
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