Low input capacitance: 24 pF at V DS = 5 V
High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V
High transconductance: 68 mS
Packages: Small SC70 and SOT-23
The JFE150 is a Burr-Brown™ discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE150 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE150 offers the maximum possible noise-to-power efficiency and flexibility, where the quiescent current can be set by the user and yields excellent noise performance for currents from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.8 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). The JFE150 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high-leakage, nonlinear, external diodes.
The JFE150 can withstand a high drain-to-source voltage of 40 V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C. The device is offered in 5-pin SOT-23 and SC70 packages.
| Typ | Titel | Datum | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | JFE150 Ultra-Low-Noise, Low-Gate-Current, Audio, N-Channel JFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 25 Apr 2023 |
| Certificate | JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 28 Feb 2022 | ||
| User guide | JFE150EVM User's Guide | PDF | HTML | 25 Feb 2022 | |
| Application note | JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp | PDF | HTML | 06 Okt 2021 |
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| Gehäuse | Pins | Herunterladen |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 5 | Optionen anzeigen |
| SOT-SC70 (DCK) | 5 | Optionen anzeigen |
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