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TPD4E1B06

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Vierfach-ESD-Schutzdiode in SOT- & SC70-Gehäusen mit max. 0,5 nA Leckstrom, 0,7 pF, ±5,5 V-, ±12 kV

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TPD4E1B06

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Produktdetails

Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • Ultra low leakage current 0.5nA (maximum)
  • Transient protection for 4 I/O lines:
    • IEC 61000-4-2 Contact Discharge ±12kV
    • IEC 61000-4-2 Air-Gap Discharge ±15kV
    • IEC 61000-4-5 Surge 3.0A (8/20µs)
  • I/O capacitance 0.7pF (typical)
  • Bi-directional ESD protection diode array
  • Low ESD clamping voltage
  • Industrial temperature range: –40°C to 125°C
  • Small, easy-to-route DRL and DCK packages
  • Ultra low leakage current 0.5nA (maximum)
  • Transient protection for 4 I/O lines:
    • IEC 61000-4-2 Contact Discharge ±12kV
    • IEC 61000-4-2 Air-Gap Discharge ±15kV
    • IEC 61000-4-5 Surge 3.0A (8/20µs)
  • I/O capacitance 0.7pF (typical)
  • Bi-directional ESD protection diode array
  • Low ESD clamping voltage
  • Industrial temperature range: –40°C to 125°C
  • Small, easy-to-route DRL and DCK packages

The TPD4E1B06 is a 4-channel bi-directional Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. This device features ultra low leakage current (0.5nA) for precision analog measurements. The ±12kV contact and ±15kV air gap ESD protection exceeds IEC 61000-4-2 level 4 requirements. The TPD4E1B06 device’s 0.7pF line capacitance makes it suitable for precision analog, USB2.0, Ethernet, SATA, LVDS, and 1394 interfaces.

The TPD4E1B06 is a 4-channel bi-directional Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. This device features ultra low leakage current (0.5nA) for precision analog measurements. The ±12kV contact and ±15kV air gap ESD protection exceeds IEC 61000-4-2 level 4 requirements. The TPD4E1B06 device’s 0.7pF line capacitance makes it suitable for precision analog, USB2.0, Ethernet, SATA, LVDS, and 1394 interfaces.
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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

ESDEVM — Universelles Evaluierungsmodul für ESD-Diodengehäuse, einschließlich 0402, 0201 und andere

Das Evaluierungsmodul für elektrostatisch empfindliche Bausteine (ESD) ist eine Entwicklungsplattform für die meisten unserer ESD-Produkte. Die Platine wird mit allen herkömmlichen ESD-Footprints geliefert, um eine beliebige Anzahl von Bausteinen zu testen. Bukönnen auf ihre jeweiligen Abmessung (...)
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Simulationsmodell

TPD4E1B06 IBIS Model (Rev. A)

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SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
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