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UCC21222

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Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

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UCC21330 AKTIV Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222

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Produktdetails

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V, VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2022

  • Universal: dual low-side, dual high-side or halfbridge driver

  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4A peak source and 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V, VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Safety-related certifications (planned):
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC Certification per GB4943.1-2022

The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21222 is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, GaN, and IGBT transistors.

The UCC21222 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 3kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21222 device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt UCC21222 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 11.11.2024
* Benutzerhandbuch Gate Drive Voltage vs. Efficiency 25.04.2019
Zertifikat VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 11.06.2026
Zertifikat UCC21220 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 16.08.2023
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16.12.2021
Zertifikat FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance 26.10.2021
Prüfbericht Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 24.04.2020
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28.02.2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28.02.2020
Zertifikat UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 22.07.2019
Application brief How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 06.03.2019
Whitepaper Impact of an isolated gate driver (Rev. A) 20.02.2019
Anwendungshinweis Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 19.07.2018
Anwendungshinweis Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 06.06.2018
Whitepaper Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 06.06.2018
Technischer Artikel Boosting efficiency for your solar inverter designs PDF | HTML 24.05.2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4 A, 6 A 3,0-kVRMS isolierter Zweikanal-Gate-Treiber – Evaluierungsmodul

Das UCC21220EVM-009 ist für die Evaluierung des UCC21220 ausgelegt, einem isolierten Gate-Treiber mit zwei Kanälen, 3,0 kVRMS sowie einer 4,0-A-Quell- und 6,0-A-Senk-Spitzenstrombelastbarkeit. Mit diesem EVM kann der Treiber-IC anhand seines Datenblatts evaluiert werden. Das EVM kann auch als (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Simulationsmodell

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

PMP40500 — Referenzdesign für Halbbrücke mit 54-V--DC-Eingang, 12 V/42 A Ausgang

Dieses Referenzdesign für Halbbrücken mit 12 V und 42 A Ausgang eignet sich für Buswandler in kabelgebundenen Netzwerk-Campus- und Abzweigschaltern. Das Design zeichnet sich durch einen hohen Wirkungsgrad und verschiedene Fehlerschutzfunktionen (Überstrom und Kurzschluss) aus. Das Design vergleicht (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

PMP41006 — 1-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus-LLC umgesetzt durch C2000™ and GaN

Dieses Referenzdesign demonstriert ein hybrides Hysteresesteuerungsverfahren (HHC), eine Art Strommodus-Steuerungsverfahren auf Halbbrücken-LLC-Stufe mit einem C2000™-F28004x-Mikrocontroller. Die Hardware basiert auf TIDA-010062, einem Referenzdesign mit 1 kW, 80-Plus Titan, brückenloser (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

PMP41043 — 1,6-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus LLC umgesetzt durch C2000 and GaN

Dieses Referenzdesign demonstriert ein hybrides Hysteresesteuerungsverfahren (HHC), eine Art Strommodus-Steuerungsverfahren auf Halbbrücken-LLC-Stufe mit einem C2000-F28004x-Mikrocontroller. Die Hardware basiert auf TIDA-010062, einem Referenzdesign mit 1 kW, 80-Plus Titan, brückenloser (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

TIDA-010203 — Einphasen-Totem-Pole-PFC, 4 kW – Referenzdesign mit C2000 und GaN

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine 4-kW-CCM-Totem-Pole-PFC mit F280049/F280025-Steuerkarte und LMG342x-EVM-Platine. Dieses Design stellt eine robuste PFC-Lösung dar, die isolierte Strommessung vermeidet, indem die Masse des Controllers in der Mitte eines MOSFET-Strangs liegt. Dank (...)
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
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