BQ77307

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セル電圧の高精度測定機能搭載、2S ~ 7S (2 ~ 7 個の直列) 向け、低消費電力のプロテクタ

製品詳細

Rating Catalog Number of series cells (max) 7 Number of series cells (min) 2 Features FET drive, Low-side driver, Open wire (OW), Over-temperature (OT), Overcurrent during charge (OCC), Overcurrent during discharge (OCD), Overvoltage, Short-circuit Discharge (SCD), Under-temperature (UT), Undervoltage Function Protection Operating current (typ) (µA) 6 Vin (max) (V) 38.5 Operating temperature range (°C) -40 to 110 Battery overvoltage protection (min) (V) 0 Battery overvoltage protection (max) (V) 5.5
Rating Catalog Number of series cells (max) 7 Number of series cells (min) 2 Features FET drive, Low-side driver, Open wire (OW), Over-temperature (OT), Overcurrent during charge (OCC), Overcurrent during discharge (OCD), Overvoltage, Short-circuit Discharge (SCD), Under-temperature (UT), Undervoltage Function Protection Operating current (typ) (µA) 6 Vin (max) (V) 38.5 Operating temperature range (°C) -40 to 110 Battery overvoltage protection (min) (V) 0 Battery overvoltage protection (max) (V) 5.5
VQFN (RGR) 20 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm)
  • 自律的な回復オプション搭載、2 直列~7 直列セル向け、1 次側または 2 次側の電圧、電流、温度からの保護
  • 電圧保護:
    • セル過電圧 (COV):0V~5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
    • セル低電圧 (CUV):0V~5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
  • 電流保護:
    • 放電時の短絡 (SCD):10mV~500mV、可変ステップ
    • 充電時の過電流 (OCC):3mV~123mV、2mV 刻み
    • 放電 1 および 2 の過電流 (OCD1 および OCD2):4mV~200mV、2mV 刻み
  • 外部 NTC サーミスタを使用した温度保護:
    • 充電および放電時の過熱 (OTC および OTD)
    • 充電および放電時の低温 (UTC および UTD)
    • 内部ダイの過熱
  • NFET 保護用のローサイド ドライバを内蔵 (オプションの自律回復機能付き)
  • 低消費電力動作:
    • 通常モード、両方の FET をイネーブル:8µA
    • 通常モード、FET をディセーブル:5µA
    • シャットダウン・モード:1µA 未満
  • 45V の高電圧耐性 (セル接続および他の一部のピン)
  • テキサス・インスツルメンツによりプログラム済みのデバイス設定用ワンタイム プログラマブル (OTP) メモリを内蔵
  • ホスト プロセッサの割り込みをプログラム可能、I2C 経由でステータス情報を利用可能
  • 400kHz I2C シリアル通信 (オプションの CRC サポート付き)
  • 外部システムで使用するためのプログラム可能な LDO
  • 20 ピン QFN 3.5mm × 3.5mm × 0.9mm (RGR) パッケージ
  • 自律的な回復オプション搭載、2 直列~7 直列セル向け、1 次側または 2 次側の電圧、電流、温度からの保護
  • 電圧保護:
    • セル過電圧 (COV):0V~5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
    • セル低電圧 (CUV):0V~5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
  • 電流保護:
    • 放電時の短絡 (SCD):10mV~500mV、可変ステップ
    • 充電時の過電流 (OCC):3mV~123mV、2mV 刻み
    • 放電 1 および 2 の過電流 (OCD1 および OCD2):4mV~200mV、2mV 刻み
  • 外部 NTC サーミスタを使用した温度保護:
    • 充電および放電時の過熱 (OTC および OTD)
    • 充電および放電時の低温 (UTC および UTD)
    • 内部ダイの過熱
  • NFET 保護用のローサイド ドライバを内蔵 (オプションの自律回復機能付き)
  • 低消費電力動作:
    • 通常モード、両方の FET をイネーブル:8µA
    • 通常モード、FET をディセーブル:5µA
    • シャットダウン・モード:1µA 未満
  • 45V の高電圧耐性 (セル接続および他の一部のピン)
  • テキサス・インスツルメンツによりプログラム済みのデバイス設定用ワンタイム プログラマブル (OTP) メモリを内蔵
  • ホスト プロセッサの割り込みをプログラム可能、I2C 経由でステータス情報を利用可能
  • 400kHz I2C シリアル通信 (オプションの CRC サポート付き)
  • 外部システムで使用するためのプログラム可能な LDO
  • 20 ピン QFN 3.5mm × 3.5mm × 0.9mm (RGR) パッケージ

テキサス・インスツルメンツの BQ77307 製品ファミリは、2~7 直列リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 (LFP)、LTO バッテリ パック向けの高集積高精度 1 次側プロテクタを搭載しています。各デバイスには、高精度の電圧、電流、温度保護サブシステムと、ローサイド保護 NFET ドライバ、および外部システム用のプログラム可能な LDO が搭載されています。BQ77307 はホスト プロセッサに割り込みを供給するほか、I2C ホスト通信インターフェースを内蔵しており、最大 400kHz の動作をサポートしているほか、オプションの CRC を使用してステータス情報とプログラム設定を読み取ることができます。BQ77307 は、20 ピン QFN パッケージで供給されます。

テキサス・インスツルメンツの BQ77307 製品ファミリは、2~7 直列リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 (LFP)、LTO バッテリ パック向けの高集積高精度 1 次側プロテクタを搭載しています。各デバイスには、高精度の電圧、電流、温度保護サブシステムと、ローサイド保護 NFET ドライバ、および外部システム用のプログラム可能な LDO が搭載されています。BQ77307 はホスト プロセッサに割り込みを供給するほか、I2C ホスト通信インターフェースを内蔵しており、最大 400kHz の動作をサポートしているほか、オプションの CRC を使用してステータス情報とプログラム設定を読み取ることができます。BQ77307 は、20 ピン QFN パッケージで供給されます。

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技術資料

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* データシート BQ77307 リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 (LFP)、および LTO バッテリ パック向け、2 直列~7 直列、高精度バッテリ 1 次側 / 2 次側プロテクタ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023/12/08
* ユーザー・ガイド BQ77307 Technical Reference Manual PDF | HTML 2023/12/06

設計と開発

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アプリケーション・ソフトウェアとフレームワーク

BQSTUDIO-TEST — バッテリ管理スタジオ(bqStudio)ソフトウェア:未テスト版のダウンロード

bqStudio (Battery Management Studio) は、TI のバッテリ管理製品を使用する評価、設計、設計、構成、テスト、その他の業務に関連するプロセスを支援する、一連の高信頼性ツールで構成された包括的なスイートです。これは、リアルタイム監視のサポート、グラフ作成、ロギング、コマンドを送信するための簡易インターフェイス、直接の低水準通信と I/O などレジスタやデータ (...)

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RGR) 20 Ultra Librarian

購入と品質

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