パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 WQFN (RTW) | 24 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
OPA3S2859 の特徴
- ゲイン帯域幅積：900MHz
- 内部スイッチでゲインをプログラム可能
- 高インピーダンスの FET 入力
- 入力電圧ノイズ：2.2nV/√Hz
- スルーレート：350V/µs
- 電源電圧範囲：3.3V～5.25V
- 静止電流：22mA/チャネル
- パワーダウン・モードの IQ：75µA
- 温度範囲：-40℃～125℃
OPA3S2859 に関する概要
OPA3S2859 は、広帯域トランスインピーダンスおよび電圧アンプ・アプリケーション用の、広帯域、低ノイズの CMOS 入力プログラマブル・ゲイン・アンプです。本デバイスをトランスインピーダンス・アンプ (TIA) として構成した場合、0.9GHz のゲイン帯域幅積 (GBWP) により、低容量フォトダイオード (PD) アプリケーションで高い閉ループ帯域幅を実現できます。
3 つの内部スイッチ付き帰還パスを利用し、スイッチなしの 1 つの並列帰還パスを任意で併用することで、最大 4 つのゲイン構成を選択できます。スイッチを内蔵することで、ディスクリートの外付けスイッチを使うシステムに比べて、寄生素子による影響を最小限に抑え、性能を向上させることができます。各スイッチは、広ダイナミック・レンジ・アプリケーションに対応して、1kΩ 未満から 100kΩ を上回る範囲の帰還抵抗値に最適化されています。スイッチ・パスの選択は、どちらのチャネルも 2 線式パラレル・インターフェイスを使って制御されます。選択された各チャネルに対して、ラッチ・ピンをアサートすることでゲイン・パスが変わらないようにすることもできます。これにより、選択されたチャネルのスイッチ制御を無効にし、チャネルのゲインが変わらないようにできます。
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