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SN74ABT126

アクティブ

TTL 互換 CMOS 入力、3 ステート出力、4 チャネル、4.5V ～ 5.5V バッファ

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SN74ABT126

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製品詳細

Technology family ABT Number of channels 4 IOL (max) (mA) 64 Supply current (max) (µA) 30000 IOH (max) (mA) -32 Input type TTL-Compatible CMOS Output type 3-State Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Power up 3-state, Ultra high speed (tpd <5ns) Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family ABT Number of channels 4 IOL (max) (mA) 64 Supply current (max) (µA) 30000 IOH (max) (mA) -32 Input type TTL-Compatible CMOS Output type 3-State Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Power up 3-state, Ultra high speed (tpd <5ns) Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
VQFN (RGY) 14 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm) SSOP (DB) 14 48.36 mm² (6.2 mm × 7.8 mm) TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm) SOIC (D) 14 51.9 mm² (8.65 mm × 6 mm) SOP (NS) 14 79.56 mm² (10.2 mm × 7.8 mm) PDIP (N) 14 181.42 mm² (19.3 mm × 9.4 mm)
  • Typical VOLP (Output Ground Bounce)
       <1 V at VCC = 5 V, TA = 25°C
  • High-Impedance State During Power Up and Power Down
  • High-Drive Outputs (–32-mA IOH, 64-mA IOL)
  • Ioff and Power-Up 3-State Support Hot Insertion
  • Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JESD 17
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
  • Typical VOLP (Output Ground Bounce)
       <1 V at VCC = 5 V, TA = 25°C
  • High-Impedance State During Power Up and Power Down
  • High-Drive Outputs (–32-mA IOH, 64-mA IOL)
  • Ioff and Power-Up 3-State Support Hot Insertion
  • Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per JESD 17
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)

The ’ABT126 bus buffer gates feature independent line drivers with 3-state outputs. Each output is disabled when the associated output-enable (OE) input is low.

When VCC is between 0 and 2.1 V, the device is in the high-impedance state during power up or power down. However, to ensure the high-impedance state above 2.1 V, OE should be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.

The ’ABT126 bus buffer gates feature independent line drivers with 3-state outputs. Each output is disabled when the associated output-enable (OE) input is low.

When VCC is between 0 and 2.1 V, the device is in the high-impedance state during power up or power down. However, to ensure the high-impedance state above 2.1 V, OE should be tied to GND through a pulldown resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.
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* データシート SN54ABT126, SN74ABT126 データシート (Rev. H) 2003/05/05

設計と開発

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サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
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シミュレーション・モデル

SN74ABT126 Behavioral SPICE Model

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シミュレーション・モデル

SN74ABT126 IBIS Model (Rev. A)

SCBM002 (9 KB) - IBIS モデル
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
SSOP (DB) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
SOP (NS) 14 Ultra Librarian
PDIP (N) 14 Ultra Librarian
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購入と品質

サポートとトレーニング

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