JFE150

활성

초저잡음, 낮은 게이트 전류 오디오 N-채널 JFET

제품 상세 정보

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.8 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) -1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.8 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) -1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1
  • Ultra-low noise:
    • Voltage noise:
      • 0.8 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
      • 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
    • Current noise: 1.8 fA/√ Hz at 1 kHz
  • Low gate current: 10 pA (max)
  • Low input capacitance: 24 pF at V DS = 5 V

  • High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V

  • High transconductance: 68 mS

  • Packages: Small SC70 and SOT-23

  • Ultra-low noise:
    • Voltage noise:
      • 0.8 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 5 mA
      • 0.9 nV/√ Hz at 1 kHz, I DS = 2 mA
    • Current noise: 1.8 fA/√ Hz at 1 kHz
  • Low gate current: 10 pA (max)
  • Low input capacitance: 24 pF at V DS = 5 V

  • High gate-to-drain and gate-to-source breakdown voltage: –40 V

  • High transconductance: 68 mS

  • Packages: Small SC70 and SOT-23

The JFE150 is a Burr-Brown™ discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE150 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE150 offers the maximum possible noise-to-power efficiency and flexibility, where the quiescent current can be set by the user and yields excellent noise performance for currents from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.8 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). The JFE150 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high-leakage, nonlinear, external diodes.

The JFE150 can withstand a high drain-to-source voltage of 40 V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C. The device is offered in 5-pin SOT-23 and SC70 packages.

The JFE150 is a Burr-Brown™ discrete JFET built using Texas Instruments’ modern, high-performance, analog bipolar process. The JFE150 features performance not previously available in older discrete JFET technologies. The JFE150 offers the maximum possible noise-to-power efficiency and flexibility, where the quiescent current can be set by the user and yields excellent noise performance for currents from 50 µA to 20 mA. When biased at 5 mA, the device yields 0.8 nV/√ Hz of input-referred noise, giving ultra-low noise performance with extremely high input impedance (> 1 TΩ). The JFE150 also features integrated diodes connected to separate clamp nodes to provide protection without the addition of high-leakage, nonlinear, external diodes.

The JFE150 can withstand a high drain-to-source voltage of 40 V, as well as gate-to-source and gate-to-drain voltages down to –40 V. The temperature range is specified from –40°C to +125°C. The device is offered in 5-pin SOT-23 and SC70 packages.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet JFE150 Ultra-Low-Noise, Low-Gate-Current, Audio, N-Channel JFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2023/04/25
Certificate JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022/02/28
User guide JFE150EVM User's Guide PDF | HTML 2022/02/25
Application note JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp PDF | HTML 2021/10/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

JFE150EVM — 초저잡음, 낮은 게이트 전류 오디오 N-채널 JFET용 JFE150 평가 모듈

JFE150 평가 모듈(EVM)은 JFE150 장치의 기본 기능 평가를 제공하기 위해 고안되었습니다. EVM은 단일 12V 전원에 60dB 게인을 제공하는 폐쇄 루프 전치 증폭기 구성으로 구성되어 있습니다. 다양한 회로 구성에 대해 사용자 수정 작업을 수행할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

JFE150 PSpice Model (Rev. H)

SLPM349H.ZIP (57 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

JFE150 PSpice Transient Reference Design Model

SLPM358.ZIP (66 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

JFE150 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SLPM351A.TSC (73 KB) - TINA-TI Reference Design
시뮬레이션 모델

JFE150 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM350A.ZIP (7 KB) - TINA-TI Spice Model
시뮬레이션 모델

JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier PSpice Reference Circuit

SLPM353.ZIP (140 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier TINA-TI Reference Circuit

SLPM352.ZIP (15 KB) - TINA-TI Reference Design
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
시뮬레이션 툴

TINA-TI — SPICE 기반 아날로그 시뮬레이션 프로그램

TINA-TI provides all the conventional DC, transient and frequency domain analysis of SPICE and much more. TINA has extensive post-processing capability that allows you to format results the way you want them. Virtual instruments allow you to select input waveforms and probe circuit nodes voltages (...)
사용 설명서: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 5 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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