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LF356-MIL

활성

군용 등급, 싱글, 30V, 5MHz, FET 입력 연산 증폭기

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LF356-MIL

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Military Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Military Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET
TO-CAN (LMC) 8 80.2816 mm² (8.96 mm × 8.96 mm) WAFERSALE (YS) — See data sheet
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or Common-Mode Rejection as in Most Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability Problems
    • Internal Compensation and Large Differential Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%: 1.5 µs
    • Fast Slew Rate: 12 V/µs
    • Wide Gain Bandwidth: 5 MHz
    • Low Input Noise Voltage: 12 nV/√Hz
  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using Either High or Low Source Impedance—Very Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or Common-Mode Rejection as in Most Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability Problems
    • Internal Compensation and Large Differential Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%: 1.5 µs
    • Fast Slew Rate: 12 V/µs
    • Wide Gain Bandwidth: 5 MHz
    • Low Input Noise Voltage: 12 nV/√Hz

The LF356-MIL device are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.

The LF356-MIL device are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.
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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 LF356-MIL JFET Input Operational Amplifier datasheet PDF | HTML 2017. 6. 21
e북 The Signal e-book: A compendium of blog posts on op amp design topics PDF | HTML 2017. 3. 28
애플리케이션 노트 AN-311 Theory and Applications of Logarithmic Amplifiers (Rev. B) 2013. 4. 23
애플리케이션 노트 Applications of the LM3524 Pulse Width Modulator (Rev. B) 2013. 4. 23
애플리케이션 노트 AN-272 Op Amp Booster Designs (Rev. B) 2013. 4. 23
애플리케이션 노트 Effect of Heavy Loads on Accuracy and Linearity of Op Amp Circuits (Rev. B) 2013. 4. 22
애플리케이션 노트 AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C) 2013. 4. 22
애플리케이션 노트 AN-480 A 40 MHz Programmable Video Op Amp 2004. 5. 11
애플리케이션 노트 Data Acq Using ADC0816 & ADC0817 8-Bit ADC w/On-Chip 16 Chan Multiplexr 2004. 5. 10
애플리케이션 노트 AN-293 Control Applications of CMOS DACs 2004. 5. 10
애플리케이션 노트 AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches 2004. 5. 2
애플리케이션 노트 AN-253 LH0024 and LH0032 High Speed Op Amp Applications 2004. 5. 2
애플리케이션 노트 AN-275 CMOS D/A Converters Match Most Microprocessors 2004. 5. 2
애플리케이션 노트 Get Fast Stable Response From Improved Unity-Gain Followers 2002. 10. 2

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

시뮬레이션 모델

LF356 PSPICE Model

SNOM255.ZIP (1 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
TO-CAN (LMC) 8 Ultra Librarian
WAFERSALE (YS) — Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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