전원 관리 Power stages 질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3626

활성

일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 270mΩ GaN FET

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 270 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650-V 270-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
  • 650-V 270-mΩ GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad

The LMG3626 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3626 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3626 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.

The LMG3626 is a 650-V 270-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3626 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional currentsense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3626 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the opendrain FLT pin.

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기술 문서

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유형 직함 날짜
* Data sheet LMG3626650-V270-mΩ GaN FET With Integrated Driverand Current-Sense Emulation datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023/11/14
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024/01/30
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 2023/11/30
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023/11/28
Certificate LMG3626EVM-074 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/09/22

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG3626EVM-074 — USB Type-C® PD를 지원하는 65W 반공진 플라이백 컨버터용 LMG3626 평가 모듈

LMG3626EVM-074 평가 모듈(EVM)은 전류 감지 에뮬레이션이 포함된 LMG3626 결합 GaN FET를 사용하는 65W USB Type-C® PD(Power Delivery) 오프라인 어댑터에 대한 고효율 및 고밀도를 보여줍니다. 입력은 범용 90Vac~265Vac를 지원하며 단일 출력을 최대 3A에서 5V, 9V 및 15V, 최대 3.25A에서 20V로 설정할 수 있습니다. 이 값은 USB PD 인터페이스 컨트롤러를 사용하여 조정할 수 있습니다. 최대 200kHz의 공칭 고주파 작동은 솔루션 크기를 줄이는 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
계산 툴

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3612 일체형 드라이버 및 보호 기능이 있는 650V 120mΩ GaN FET LMG3616 일체형 드라이버 및 보호 기능이 있는 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 270mΩ GaN FET
패키지 다운로드
VQFN (REQ) 38 옵션 보기

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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