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CSD15380F3

現行

20-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 0.7 mm、1460 mOhm、閘極 ESD 防護

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產品規格表

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產品詳細資料

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1460 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 4000 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 0.216 QGD (typ) (nC) 0.027 QGS (typ) (nC) 0.077 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 0.5 ID - package limited (A) 0.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1460 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 4000 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 0.216 QGD (typ) (nC) 0.027 QGS (typ) (nC) 0.077 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 0.5 ID - package limited (A) 0.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² (0.69 mm × 0.6 mm)
  • Ultra-low CiSS and COSS
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low CiSS and COSS
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 20-V, 990-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. Ultra-low capacitance improves switching speeds. When used in data line applications, the low capacitance minimizes noise coupling. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This 20-V, 990-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. Ultra-low capacitance improves switching speeds. When used in data line applications, the low capacitance minimizes noise coupling. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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設計與開發

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開發板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 通道評估模組

此 FemtoFET N 通道評估模組 (EVM) 包括七個子卡，每個子卡都包含不同的 FemtoFET N 通道零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  七個 FemtoFET 的範圍為從 12V 到 60V VDS，而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
支援產品和硬體
支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體
模擬型號

CSD15380F3 TINA-TI Spice Model

SLPM197.ZIP (3 KB) - TINA-TI Spice 模型
支援產品和硬體
模擬型號

CSD15380F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM179B.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支援產品和硬體
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體
計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
支援產品和硬體
參考設計

TIDA-01081 — 機械視覺的 LED 照明控制參考設計

此 LED 照明控制參考設計展現了驅動與控制多個高功率發光二極體 (LED) 串列的獨特方式。此參考設計專為工業機械視覺系統所設計，也適合其他工業或汽車照明應用。此設計允許使用者對 LED 電流和時序進行編程，以實現 LED 安全過度驅動，進而提高亮度。此設計可自動運作，但也可透過隔離式介面觸發或產生觸發。內部電路區塊支援廣泛的輸入電壓範圍、可編程輸入電流和輸入電源控制，並可防止反極性、過電壓與過熱。
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參考設計

TIDM-02010 — 用於暖通空調的數位交錯式 PFC 雙馬達控制參考設計

TIDM-02010 參考設計是一款 1.5-kW 雙馬達驅動和 PFC 控制參考設計，適用於暖通空調應用的變頻空調室外機控制器；其中展示實作無感測器 3 相 PMSM 向量控制的方法，適用於壓縮機和風扇馬達驅動器，以及數位交錯式升壓 PFC，可透過單一 C2000™ 微控制器滿足新的效率標準。此參考設計提供的軟硬體皆經過測試且隨時可用，有助於加快開發至上市時間。參考設計包括硬體設計檔案和軟體程式碼。

支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
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訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

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